Construction of III-V CMOS Photonics

III-V CMOS 光子学的构建

• 批准号: 22686034
• 负责人: TAKENAKA Mitsuru
• 金额: $ 16.47万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22686034/
• 关键词: 光電子集積回路; CMOSフォトニクス; 細線導波路; 光変調器; 受光器; InGaAs MOSFET; 基板貼り合せ; III-V-OI基板; 光集積回路; 光スイッチ; 化合物半導体; MOSトランジスタ; 基板貼り合わせ; CMOS photonics; III-V MOSFET

We have successfully established the fabrication procedure of III-V-on-Insulator (III-V-OI) wafers by using the direct wafer bonding technology. As a result, we have demonstrated high-performance optical switches/modulators and waveguide photodetectors on the III-V-OI wafer in addiction to InP-based photonic-wire passive devices. We have also established the fabrication procedure of InGaAs MOS transistors on the III-V-OI wafer.Thus, we have successfully demonstrated the basic concept of the III-V CMOS photonics platform on which ultra-small III-V-based photonic-wire devices and high-performance III-V-based CMOS transistors can be co-integrated by using the III-V-OI wafer.

我们通过使用直接的晶圆键合技术成功地建立了III-V-on-on-n-on-n-on-on-n-on-on-n-on-n-on-n-pon-on-n-n-n-n-n-n-p-oi晶片制造程序。结果，我们已经在III-V-OI晶片上展示了高性能的光学开关/调制器和波导光电探测器，这些晶片中的III-V-OI晶片上都对基于INP的Photonic-Wire被动器件成瘾。我们还建立了INGAAS MOS晶体管在III-V-OI晶圆上的制造过程。可以使用III-V-OI晶片协调设备和高性能III-V基于III-V的CMOS晶体管。

项目成果

ALD Al2O3 activated direct wafer bonding for III-V CMOS photonics platform

ALD Al2O3 激活 III-V CMOS 光子平台的直接晶圆键合

• 发表时间: 2011
• 作者: Y. Ikku;M. Yokoyama;R. Iida;M. Sugiyama;Y. Nakano;M. Takenaka;S. Takagi
• 通讯作者: S. Takagi

III-V/Ge device engineering for CMOS photonics

CMOS 光子学的 III-V/Ge 器件工程

• 发表时间: 2013
• 作者: 齊藤 伸;鈴木 理明;杜 関祥;高橋 研;M. Takenaka and S. Takagi
• 通讯作者: M. Takenaka and S. Takagi

III-V CMOSフォトニクスを用いた低電流駆動光スイッチ

使用 III-V CMOS 光子学的低电流驱动光开关

• 发表时间: 2013
• 作者: Kawai Yuki;Tadashi Tsubone;Tsuyoshi Sekitani;一宮佑希，横山正史，市川磨，秦雅彦，竹中充，高木信一
• 通讯作者: 一宮佑希，横山正史，市川磨，秦雅彦，竹中充，高木信一

InPとAl2O3パッシベーションによるInGaAsP細線導波路の損失改善

InP 和 Al2O3 钝化改善 InGaAsP 线波导的损耗

• 发表时间: 2012
• 作者: 一宮佑希;横山正史;市川磨;秦雅彦;竹中充;高木信一
• 通讯作者: 高木信一

Analysis on channel thickness fluctuation scattering in InGaAs-OI MOSFETs

InGaAs-OI MOSFET沟道厚度波动散射分析

• 发表时间: 2013
• 作者: S. H. Kim;M. Yokoyama;R. Nakane;O. Ichikawa;T. Osada;M. Hata;M. Takenaka and S. Takagi
• 通讯作者: M. Takenaka and S. Takagi