III-V-OI MOS structure by using selective wet oxidation of InAlAs layer

采用InAlAs层选择性湿法氧化的III-V-OI MOS结构

• 批准号: 19860024
• 负责人: TAKENAKA Mitsuru
• 金额: $ 1.99万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19860024/
• 关键词: MOSFET; 化合物半導体; InAlAs; InGaAs; InP; ウェット酸化; 電子デバイス・機器; 半導体物性; III-V族半導体; InAlAs酸化膜

InAlAsのウェット酸化を利用したIII-V MOS 界面の研究を行った。XPS 分析、エリプソメトリー、TEM 像解析等により、InAlAs の酸化機構を明らかにし、良好な界面特性を持つInAlAs/InP MOS界面を実現することに成功した。またInP 酸化防止層を配した構造において、InAlAs 層の自然酸化を抑制することで、良好なMOS 界面が再現性良く得られることを明らかにした。これにより既存のSi トランジスタの性能を上回るIII-V トランジスタを実現するための基盤技術を確立した。

我们利用 InAlAs 的湿式氧化对 III-V MOS 界面进行了研究。利用XPS分析、椭偏仪、TEM图像分析等，阐明了InAlAs的氧化机理，并成功创建了具有良好界面性能的InAlAs/InP MOS界面。此外，在具有InP氧化防止层的结构中，揭示了通过抑制InAlAs层的自然氧化，能够以良好的再现性获得良好的MOS界面。因此，我们已经建立了实现超越现有硅晶体管性能的 III-V 族晶体管的基础技术。

项目成果

Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed bywet thermal oxidation

湿热氧化形成的 InAlAs 氧化物/InP 金属氧化物半导体结构的研究

• 发表时间: 2009
• 期刊: Japanese Journal ofApplied Physics (JJAP) vol.48, No.2
• 作者: S. Nakagawa;M. Yokoyama;O. Ichikawa;M.Hata;M. Tanaka;M. Takenaka;S. Takagi
• 通讯作者: S. Takagi

Fabrication of III-V MOS structure by using selective oxidation of InAlAs

InAlAs选择性氧化制备III-V族MOS结构

• 发表时间: 2008
• 作者: S. Nakagawa;M. Yokoyama;O. Ichikawa;M. Hata;M. Tanaka;M. Takenaka. S. Takagi
• 通讯作者: M. Takenaka. S. Takagi

Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed by wet thermal oxidation

湿热氧化形成的 InAlAs 氧化物/InP 金属氧化物半导体结构的研究

• 发表时间: 2009
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 48(掲載確定in press)
• 作者: S. Nakagawa;M. Yokoyama;O. Ichikawa;M. Hata;M. Tanaka;M. Takenaka. S. Takagi
• 通讯作者: M. Takenaka. S. Takagi

半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置

半导体基板、半导体基板的制造方法以及半导体装置

• 发表时间: 2008

半導体基板, 半導体基板の製造方法および半導体装置

半导体基板、半导体基板的制造方法以及半导体装置

• 发表时间: 2008