Silicon CMOS Photonics
硅 CMOS 光子学
基本信息
- 批准号:17GS0205
- 负责人:
- 金额:$ 272.23万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Creative Scientific Research
- 财政年份:2005
- 资助国家:日本
- 起止时间:2005 至 2009
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
The current Si photonics aims to reduce the material diversity of photonic devices for electronic-photonic integration. In contrast the present research focuses reducing the device diversity in Si photonics in terms of unifying fundamental functions of photonic devices. Based on the design and prototype of a function-unified device and application of the fundamental device to an optical computing architecture, we have demonstrated orders-magnitude higher performances than conventional 2-bit adders. This has suggested our new approach has a significant impact not only on a new generation of Si photonics but also future computation.
当前的硅光子学旨在减少电子-光子集成光子器件的材料多样性。相比之下,目前的研究重点是通过统一光子器件的基本功能来减少硅光子学中的器件多样性。基于功能统一器件的设计和原型以及基本器件在光计算架构中的应用,我们展示了比传统2位加法器高几个数量级的性能。这表明我们的新方法不仅对新一代硅光子学而且对未来的计算产生重大影响。
项目成果
期刊论文数量(77)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Enhanced photoluminescence from germanium-based ring resonators
- DOI:10.1063/1.2950087
- 发表时间:2008-07
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:P. Lim;Yosuke Kobayashi;S. Takita;Y. Ishikawa;K. Wada
- 通讯作者:P. Lim;Yosuke Kobayashi;S. Takita;Y. Ishikawa;K. Wada
Silicon Photonics Challenges and Future
硅光子学的挑战和未来
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Tetsutaro Hayashi;Osamu Nishimura;Jeremy Pulvers;Kiyokazu Agata;Hiroshi Tarui;和田一実
- 通讯作者:和田一実
シリコンフォトニクスの基礎と応用
硅光子学的基础和应用
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Minami;Y.;Kasukawa;T.;Kakazu;Y.;Iigo;M.;Sugimoto;M.;Ikeda;S.;Yasui;A.;van der Horst;G.;Soga;T.;Ueda;H.;和田一実
- 通讯作者:和田一実
Fabrication and Responsivity Spectra of p-Ge/i-Si/n-Si Near-Infrared Photodiodes
p-Ge/i-Si/n-Si 近红外光电二极管的制作和响应度光谱
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yasuhiko Ishikawa;Sungbong Park;Jiro Osaka;Kazumi Wada
- 通讯作者:Kazumi Wada
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
WADA Kazumi其他文献
WADA Kazumi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('WADA Kazumi', 18)}}的其他基金
The development of the interface which will be able to switch between another images
开发能够在其他图像之间切换的界面
- 批准号:
19800051 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 272.23万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
相似海外基金
Research on ultra-small millimeter-wave wireless terminal
超小型毫米波无线终端研究
- 批准号:
17K06418 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 272.23万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
CMOS compatible chemical sensors based on control of surface reaction on metal oxides
基于金属氧化物表面反应控制的 CMOS 兼容化学传感器
- 批准号:
17H04927 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 272.23万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Hybrid CMOS comprising four-terminal poly-IV TFTs on a glass substrate
混合 CMOS,由玻璃基板上的四端 Poly-IV TFT 组成
- 批准号:
16K06311 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 272.23万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Fundamental Technology Development of Dark-Silicon Logic LSI for Brain-Inspired Computing
类脑计算暗硅逻辑LSI基础技术开发
- 批准号:
16H06300 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 272.23万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Development of single-crystalline silicon CMOS technology on flexible substrate by atomospheric pressure thermal plasma jet crystallizetion
大气压热等离子体射流结晶开发柔性衬底单晶硅CMOS技术
- 批准号:
16H04334 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 272.23万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)