3D InGaAs MOSFET with regrown source/drain

具有再生源极/漏极的 3D InGaAs MOSFET

基本信息

批准号：
25420322
负责人：
Kanazawa Toru
金额：
$ 3.24万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートＭＯＳＦＥＴの作製プロセス

源极和漏极再生的多栅极MOSFET的制造工艺

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Masahiko Nishimoto;Daisuke Yoshida;木下治紀
通讯作者：
木下治紀

再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET

具有再生源极/漏极的 InGaAs 三栅极 MOSFET

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
岩井郁也;吉富邦明;金谷晴一;Yuichi Mishima;辻大輝，板野由佳，小椋清孝，森下賢幸，吉富貞幸，伊藤信之;三嶋裕一
通讯作者：
三嶋裕一

InGaAs channel tri-gate MOSFETs with regrown source/drain

具有再生源极/漏极的 InGaAs 通道三栅极 MOSFET

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
角穴光;飯田守;豊岡義和;小山長規;山田誠;Yuichi Mishima
通讯作者：
Yuichi Mishima

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DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
岩井郁也;吉富邦明;金谷晴一;Yuichi Mishima
通讯作者：
Yuichi Mishima

再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセスに関する研究

源漏再生InGaAs多栅MOSFET工艺研究

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
飯田守;小山長規;角穴光;豊岡義和;山田誠;木下治紀
通讯作者：
木下治紀

DOI：
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影响因子：
1.8
作者：
Miyamoto Yasuyuki;Kanazawa Toru;Kise Nobukazu;Kinoshita Haruki;Ohsawa Kazuto
通讯作者：
Ohsawa Kazuto

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期刊：
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