Stacked short channel III-V MOSFET
堆叠式短沟道 III-V MOSFET
基本信息
- 批准号：16K18087
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain
具有再生源极/漏极的 InGaAs 沟道 FinFET 的栅极可控性与鳍片宽度的关系
- DOI：10.1016/j.sse.2016.09.009
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：1.7
- 作者：N. Kise,H. Kinoshita;A. Yukimachi;T. Kanazawa and Y. Miyamoto
- 通讯作者：T. Kanazawa and Y. Miyamoto
Fabrication of InGaAs Nanosheet Transistors with Regrown Source
利用再生源制造 InGaAs 纳米片晶体管
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Kanazawa;K. Ohsawa;T. Amemiya;N. Kise;R. Aonuma;Y. Miyamoto
- 通讯作者：Y. Miyamoto
InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発
具有 InGaAs 纳米片通道的多栅极 MOSFET 的制造工艺开发
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：大澤一斗;金澤 徹;木瀬信和;雨宮智宏;宮本恭幸
- 通讯作者：宮本恭幸
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Kanazawa Toru其他文献
Regrown source/drain in InGaAs multi-gate MOSFETs
InGaAs 多栅极 MOSFET 中的再生源极/漏极
- DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.06.014 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：
Miyamoto Yasuyuki;Kanazawa Toru;Kise Nobukazu;Kinoshita Haruki;Ohsawa Kazuto - 通讯作者：
Ohsawa Kazuto
Kanazawa Toru的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Kanazawa Toru', 18)}}的其他基金
3D InGaAs MOSFET with regrown source/drain
具有再生源极/漏极的 3D InGaAs MOSFET
- 批准号：
25420322 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.66万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
Development of the Infrared Laser Lift-Off Process for Low-Cost GaAs Based Solar Cells
低成本砷化镓太阳能电池红外激光剥离工艺的开发
- 批准号：
17H04979 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.66万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Investigation of Ferroelectric Property Based on Nitride/Oxide Stack Structure and Its Application for Diamond FET
基于氮化物/氧化物叠层结构的铁电性能研究及其在金刚石FET中的应用
- 批准号：
16K06330 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.66万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of the very high efficiency thin-film multiple quantum well solar cells
超高效率薄膜多量子阱太阳能电池的开发
- 批准号：
26630107 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.66万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
面積選択MOCVDを活用したInGaAsP化合物半導体結晶成長機構の解析とマイクロレーザアレイの作製
InGaAsP化合物半导体晶体生长机制分析及区域选择性MOCVD微激光阵列制作
- 批准号：
04F04149 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 2.66万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Development of Blue-Violet GaN Microcavity Surface-Emitting Lasers far Next-Generation Optical Memory Systems
开发蓝紫 GaN 微腔表面发射激光器下一代光学存储系统
- 批准号：
13355015 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.66万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)