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Development of red-color emission based on nitride semiconductor for white lighing
开发基于氮化物半导体的红色发光白光照明
基本信息
- 批准号：24560362
- 负责人：
- 金额：$ 3.49万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000-1)InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製
使用 MOVPE 在蓝宝石衬底上生长 N 极面 (000-1) InGaN 制造红、绿、蓝发光二极管
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Senba;N. Matsumoto;M. Jomura;H. Asada;Y. Fukuma;T. Koyanagi;K. Kishimoto;正直 花奈子，崔 正焄，谷川 智之，窪谷 茂幸，花田 貴，片山 竜二，松岡 隆志
- 通讯作者：正直 花奈子，崔 正焄，谷川 智之，窪谷 茂幸，花田 貴，片山 竜二，松岡 隆志
Emission Wavelength Extension of Light Emitting Diode Using MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN
使用 MOVPE 生长的 N 极 (000-1) InGaN 扩展发光二极管的发射波长
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Shojiki;J.H. Choi;T. Tanikawa;S. Kuboya;T. Hanada;R. Katayama;and T. Matsuoka
- 通讯作者：and T. Matsuoka
Improvement of surface morphology in (000-1) GaN/Sapphire grown by MOVPE with indium surfactant
含有铟表面活性剂的 MOVPE 生长的 (000-1) GaN/蓝宝石表面形态的改善
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Aisaka;T. Tanikawa;T. Kimura;T. Iwabuchi;K. Shojiki;R. Katayama;T. Hanada;T. Matsuoka
- 通讯作者：T. Matsuoka
Suppression of metastable-phase inclusion in MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells
MOVPE 生长的 N 极 (000-1) InGaN/GaN 多量子阱中亚稳态相夹杂物的抑制
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Shojiki;J. H. Choi;T. Iwabuchi;N. Usami;T. Tanikawa;S. Kuboya;R. Katayama;and T. Matsuoka
- 通讯作者：and T. Matsuoka
Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN
铟表面活性剂对N极GaN MOVPE生长的影响
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Aisaka;T. Tanikawa;T. Kimura;T. Iwabuchi;K. Shojiki;R. Katayama;T. Hanada;T. Matsuoka
- 通讯作者：T. Matsuoka
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24360114 - 财政年份：2012
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