Study on Light-Emittind Devices on Si Substrates based on Semiconductor Nanowires
基于半导体纳米线的硅衬底发光器件的研究
基本信息
- 批准号：17H03223
- 负责人：
- 金额：$ 11.48万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Vertical InGaAs Nanowire Array Photodiodes on Si
- DOI：10.1021/acsphotonics.8b01089
- 发表时间：2019-02-01
- 期刊：
- 影响因子：7
- 作者：Chiba, Kohei;Yoshida, Akinobu;Motohisa, Junichi
- 通讯作者：Motohisa, Junichi
InP/InAsPナノワイヤLEDの電流注入発光特性
InP/InAsP 纳米线 LED 的电流注入发射特性
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：赤松 知弥;亀田 滉貴;佐々木 正尋;冨岡 克広;本久 順一
- 通讯作者：本久 順一
InP/InAsP/InPヘテロ構造ナノワイヤLEDの作製と評価
InP/InAsP/InP异质结构纳米线LED的制备与评估
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：赤松 知弥;亀田 滉貴;佐々木 正尋;冨岡 克広;本久 順一
- 通讯作者：本久 順一
Improved characteristics of InP-based nanowire light-emitting diodes
InP基纳米线发光二极管的改进特性
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Kameda;K. Tomioka;F. Ishizaka;M. Sasaki;J. Motohisa
- 通讯作者：J. Motohisa
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Motohisa Junichi其他文献
Current injection and luminescence properties of wurtzite InP nanowires with crystal phase transition
晶相转变纤锌矿InP纳米线的电流注入和发光特性
- DOI：
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2022 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
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Tomioka Katsuhiro
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Tomioka Katsuhiro
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基于成核过程的纳米线原子薄量子结构的合理合成
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- 影响因子：4.6
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Fukui Takashi
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2020 - 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：
Tomioka Katsuhiro;Ishizaka Fumiya;Motohisa Junichi;Fukui Takashi - 通讯作者：
Fukui Takashi
Vertical Gate-All-Around Tunnel FETs Using InGaAs Nanowire/Si with Core-Multishell Structure
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2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Tomioka Katsuhiro;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Fukui Takashi - 通讯作者：
Fukui Takashi
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Generation of Vector Beams using Semiconductor Nanowires
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Study on low-power-consumption magnetic memory devices created by bottom-up formation of ferromagnetic nanowires
自下而上铁磁纳米线形成低功耗磁存储器件的研究
- 批准号：
25600034 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 11.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
有機金属気相選択成長法による異種基板上への半導体ナノワイヤ形成と発光デバイス応用
使用有机金属气相选择性生长方法在异质基底上形成半导体纳米线及其在发光器件中的应用
- 批准号：
12J01477 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 11.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Fabrication of nanowire-based light emitting nanodevices
基于纳米线的发光纳米器件的制造
- 批准号：
24360114 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 11.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)