Generation of Vector Beams using Semiconductor Nanowires

使用半导体纳米线生成矢量光束

基本信息

  • 批准号：
    20H02176
  • 负责人：
    Motohisa Junichi
  • 金额：
    $ 11.4万
  • 依托单位：
    Hokkaido University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2020
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（12）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
熱アニールによるInP/InAsPヘテロ構造ナノワイヤのサイズ制御と発光ダイオード応用
通过热退火和发光二极管应用控制 InP/InAsP 异质结构纳米线的尺寸
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    赤松 知弥;佐々木 正尋;冨岡 克広;本久 順一
  • 通讯作者：
    本久 順一
Polarization Analysis of Luminescence from GaAs/InGaAs/GaAs Core-multishell Nanowire Cavity",
GaAs/InGaAs/GaAs核-多壳纳米线腔发光的偏振分析",
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Taiga Kunimoto;Shizuka Obara;Shinjiro Hara;Junichi Motohisa
  • 通讯作者：
    Junichi Motohisa
Generation of cylindrical vector beam from GaAs/InGaAs/GaAs core-multishell nanowire cavity
从 GaAs/InGaAs/GaAs 核-多壳纳米线腔生成圆柱形矢量光束
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/acb657
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Taiga Kunimoto;Shizuka Obara;Shinjiro Hara;Junichi Motohisa
  • 通讯作者：
    Junichi Motohisa
GaAs/InGaAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤ共振器における発光の解析
GaAs/InGaAs/GaAs 核多壳纳米线谐振器的光发射分析
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    国本 大雅;本久 順一;原 真二郎
  • 通讯作者：
    原 真二郎
Generation of Vector Beams from Nanowires
从纳米线生成矢量束
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Umezu Gaku;Yamauchi Yoshihiro;Kidera Shouhei;Junichi Motohisa
  • 通讯作者：
    Junichi Motohisa
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Motohisa Junichi其他文献

Current injection and luminescence properties of wurtzite InP nanowires with crystal phase transition
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  • DOI：
    10.35848/1347-4065/aca985
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Azuma Yuki;Kimura Shun;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Tomioka Katsuhiro
  • 通讯作者：
    Tomioka Katsuhiro
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  • DOI：
    10.1038/s41598-020-67625-y
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Scientific Reports
  • 影响因子：
    4.6
  • 作者：
    Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi;Fukui Takashi
  • 通讯作者：
    Fukui Takashi
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  • DOI：
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  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    ECS Transactions
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tai Yoshiki;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Tomioka Katsuhiro
  • 通讯作者：
    Tomioka Katsuhiro
InGaAs-InP core?shell nanowire/Si junction for vertical tunnel field-effect transistor
用于垂直隧道场效应晶体管的InGaAs-InP核壳纳米线/Si结
  • DOI：
    10.1063/5.0014565
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Tomioka Katsuhiro;Ishizaka Fumiya;Motohisa Junichi;Fukui Takashi
  • 通讯作者：
    Fukui Takashi
Vertical Gate-All-Around Tunnel FETs Using InGaAs Nanowire/Si with Core-Multishell Structure
采用具有核-多壳结构的 InGaAs 纳米线/Si 的垂直栅极全环绕隧道 FET
  • DOI：
    10.1109/iedm13553.2020.9371991
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    IEEE IEDM Technical Digest
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tomioka Katsuhiro;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Fukui Takashi
  • 通讯作者：
    Fukui Takashi

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    2016
  • 资助金额：
    $ 11.4万
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