Integrated Circuit Design for Robust Operation under Low Supply Voltage
低电源电压下稳健运行的集成电路设计
基本信息
- 批准号:22300016
- 负责人:
- 金额:$ 11.81万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2010
- 资助国家:日本
- 起止时间:2010 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
We have investigated on a design method that achieves robust circuit operation under low supply voltage of around 0.7 V. In particular, we have worked onthree topics:(1) built-in self monitor and compensation of die-to-die variation(2) sequential logic gates tolerating for within-die variation(3) evaluation of dynamic performance variation under low supply voltage.We have successfully developed variation-tolerant D-FFs, all-digital monitors and body-bias generator circuits for performance compensation, and accurate evaluation of delay fluctuation due to Random Telegraph Noise.
我们已经研究了一种设计方法,该设计方法在低供应电压下实现了强大的电路操作。尤其是,我们已经工作了三个主题:(1)内置的自我监控和对二线变化(2)顺序逻辑的赔偿(2)在die内部耐受性变化的顺序逻辑(2)在供应量变化(3)供应量的动态变化(3)成功的变异。身体偏见发生器电路,用于性能补偿,并准确评估由于随机电报噪声而导致的延迟波动。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
A Flexible Structure of Standard Cell and Its Optimization Method for Near-Threshold Voltage Operation
一种灵活的标准单元结构及其近阈值电压工作的优化方法
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Q.Zhao;Y.Ichinomiya;Y.Okamoto;M.Amagasaki;M.Iida;T.Sueyoshi;杉本卓哉;Shinichi Nishizawa
- 通讯作者:Shinichi Nishizawa
Impact of RTN and NBTI on Synchorous Circuit Reliability
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- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takashi Matsumoto;Kazutoshi Kobayashi;Hidetoshi Onodera
- 通讯作者:Hidetoshi Onodera
Impact of Random Telegraph Noise on CMOS Logic Delay Uncertainty
随机电报噪声对 CMOS 逻辑延迟不确定性的影响
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Akira Ohchi;Nozomu Togawa;Masao Yanagisawa;Tatsuo Ohtsuki;郭 飛;Takashi Matsumoto
- 通讯作者:Takashi Matsumoto
ランダム・テレグラフ・ノイズが低電圧CMOS論理回路の遅延ゆら ぎに及ぼす影響
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- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Keisuke Goto;et al;松本高士
- 通讯作者:松本高士
バッファチェインにおけるパルス幅縮小現象を利用したSETパルス幅測定回路
利用缓冲链中脉冲宽度减少现象的SET脉冲宽度测量电路
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:古田潤;小林和淑;小野寺秀俊
- 通讯作者:小野寺秀俊
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
ONODERA Hidetoshi其他文献
Supply and Threshold Voltage Scaling for Minimum Energy Operation over a Wide Operating Performance Region
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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- 批准号:
06680317 - 财政年份:1994
- 资助金额:
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20K11730 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 11.81万 - 项目类别:
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$ 11.81万 - 项目类别:
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