Statistical modeling method for scaled MOSFET

缩放 MOSFET 的统计建模方法

• 批准号: 08555085
• 负责人: ONODERA Hidetoshi
• 金额: $ 4.8万
• 依托单位: KYOTO UNIVERSITY
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 1997
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08555085/
• 关键词: Scaled MOSFET; Statistical Modeling; Intermediate Model; Parameter Extraction; Matching Analysis; Statistical Analysis; Circuit Simulation; Worst Case Analysis; ばらつきモデル; 統計的モデル化; パラメータ抽出; 統計的設計最適化; 歩留り; 共通モデル

(a)Statistical MOSFET modeling using an intermediate modelMOSFETs need to be modeled in a various levels of details according to the needs in a design process of LSIs. We have developed a statistical modeling method which can be applied commonly to various models in a systematic way. The model adaptability is a schieved by the introduction of an intermediate statistical model which has a basic structure common to many models. The method for describing statistical characteristics by the intermediate model and the method for transforming intermediate model to target models are developed. The effectiveness of the method is verified experimentally by statistical modeling of 0.3mum MOSFETs using the BSIM3v3 model.(b)Matching analysis of CMOS Circuits with layout informationstatistical modeling of MOSFETs for matching analysis has been studied. Micro-loading effect of gate poly-silicon which affects final gate-length has been incorporated in the modeling. TEG structures are developed for the extraction of model parameters for the matching properties.(c)Development of CAD for statistical analysis with a command languageIn order to utilize the statistical modeling method developed in this project, we have developed a CAD framework which enables a designer to define his own procedure for statistical analysis using a command language.

（a）使用中间ModelMosFet的统计MOSFET建模需要根据LSIS设计过程中的需求以各种细节进行建模。我们已经开发了一种统计建模方法，该方法可以以系统的方式通常应用于各种模型。模型适应性是通过引入中间统计模型的引入，该模型具有许多模型共有的基本结构。开发了通过中间模型描述统计特征的方法，以及将中间模型转换为目标模型的方法。通过使用BSIM3V3模型对0.3MUM MOSFET的统计建模对该方法的有效性进行了验证。（b）研究了CMOS电路与MOSFET的布局信息建模进行匹配的匹配分析，以进行MOSFET进行匹配分析。影响最终门长的栅极多丝硅的微载效应已在建模中纳入。开发了TEG结构，以提取匹配属性的模型参数。（c）使用COMMANICTION LAGGINANS的CAD开发用于使用该项目中开发的统计建模方法的CAD进行统计分析，我们已经开发了一个CAD框架，该框架使设计人员可以使用命令语言定义其自己的统计分析程序。

项目成果

M.Kondo, H.Onodera, and K.Tamaru: ""A Curremt Mode Cyclic A/D Converter with Submicron Processes"" IEICE Trans.Fundamentals. Vol.E80-A. 360-364 (1997)

M.Kondo、H.Onodera 和 K.Tamaru：“采用亚微米工艺的电流模式循环 A/D 转换器””IEICE Trans.Fundamentals。

H.Onodera: "P2Lib : Process-Portable Library and Its Generation System" Proc.IEEE 1997 CICC. 341-344 (1997)

H.Onodera：“P2Lib：过程可移植库及其生成系统”Proc.IEEE 1997 CICC。

岡田健一: "レイアウトを考慮したCMOS回路の比精度解析" 第11回回路とシステム軽井沢ワークショップ論文集掲載予定. (1998)

Kenichi Okada：“考虑布局的 CMOS 电路的比率精度分析” 预定发表于第 11 届电路与系统轻井泽研讨会论文集（1998 年）。

M.Kondo: "A Curremt Mode Cyclic A/D Converter with Submicron Processes" IEICE Trans.Fundamentals. E80-A. 360-364 (1997)

M.Kondo：“采用亚微米工艺的电流模式循环 A/D 转换器”IEICE Trans.Fundamentals。

岡田 健一: "レイアウトを考慮したCMOS回路の比精度解析" 第11回回路とシステム軽井沢ワークショップ論文集. (掲載予定). (1998)

Kenichi Okada：“考虑布局的 CMOS 电路的比率精度分析”第 11 届电路与系统轻井泽研讨会论文集（待出版）。