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Fabrication of normally-off GaN MISFETs for high-power application
用于高功率应用的常断 GaN MISFET 的制造
基本信息
- 批准号：21360168
- 负责人：
- 金额：$ 11.73万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Novel p-InGaN/AlGaN/GaN MISFET was proposed and normally-off operation of the MISFETs with a threshold voltage of 1. 2 V was realized. Concerning the gate insulator, ALD-grown Al_2O-3 was shown to be better than HfO-2 from the view point of transient behavior of the devices.(NH-4)-2S treatment before the gate insulator deposition and gate first process where gate insulator was deposited before ohmic contact formation was effective in decreasing the interface state density.
提出了新颖的p- ingan/algan/gan misfet，通常实现了阈值电压为1.2 V的错误FET的操作。关于栅极绝缘子，从设备的瞬态行为的角度来看，ALD生长的AL_2O-3比HFO-2更好。（NH-4）-2S处理在栅极绝缘子沉积和栅极隔离器的第一个过程中，在该过程中，在该过程中，栅极绝缘体在欧姆卡接触形成之前沉积了栅极绝缘体，可有效地降低界面状态状态状态状态状态。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Analysis of transient behavior of AlGaN/GaN MOSHFET
- DOI：10.1016/j.sse.2010.07.001
- 发表时间：2010-11
- 期刊：
- 影响因子：1.7
- 作者：Y. Hayashi;S. Kishimoto;T. Mizutani
- 通讯作者：Y. Hayashi;S. Kishimoto;T. Mizutani
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- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Hayashi;S. Sugiura;S. Kishimoto;T. Mizutani
- 通讯作者：T. Mizutani
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- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Akira Miyazaki;Takayuki Yamazaki;Taikan Suehara;Shoji Asai;Toshita ka Idehara;et al.;林慶寿,岸本茂,水谷孝
- 通讯作者：林慶寿,岸本茂,水谷孝
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- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：E. Miyazaki;Y. Goda;S. Kishimoto;T. Mizutani
- 通讯作者：T. Mizutani
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带 P-INGAN 盖层的常断模式 ALGAN/GAN HEMT
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Mizutani;X. Li;S. Kishimoto;and F. Nakamura
- 通讯作者：and F. Nakamura
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