Fabrication of normally-off GaN MISFETs for high-power application

用于高功率应用的常断 GaN MISFET 的制造

基本信息

  • 批准号：
    21360168
  • 负责人：
    MIZUTANI Takashi
  • 金额：
    $ 11.73万
  • 依托单位：
    Nagoya University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2009
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2009 至 2011
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

Novel p-InGaN/AlGaN/GaN MISFET was proposed and normally-off operation of the MISFETs with a threshold voltage of 1. 2 V was realized. Concerning the gate insulator, ALD-grown Al_2O-3 was shown to be better than HfO-2 from the view point of transient behavior of the devices.(NH-4)-2S treatment before the gate insulator deposition and gate first process where gate insulator was deposited before ohmic contact formation was effective in decreasing the interface state density.
提出了新型 p-InGaN/AlGaN/GaN MISFET，并实现了阈值电压为 1. 2 V 的 MISFET 的常断操作。关于栅极绝缘体，从器件瞬态行为的角度来看，ALD 生长的 Al_2O-3 优于 HfO-2。在栅极绝缘体沉积和栅极第一工艺之前进行 (NH-4)-2S 处理，其中栅极在欧姆接触形成有效降低界面态密度之前沉积绝缘体。

项目成果

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专利数量（0）
Analysis of transient behavior of AlGaN/GaN MOSHFET
  • DOI：
    10.1016/j.sse.2010.07.001
  • 发表时间：
    2010-11
  • 期刊：
    Solid-state Electronics
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    Y. Hayashi;S. Kishimoto;T. Mizutani
  • 通讯作者：
    Y. Hayashi;S. Kishimoto;T. Mizutani
Effects of HfO2/AlGaN interface of HfO2/AlGaN/GaN MOSFET studied by device simulation
通过器件仿真研究HfO2/AlGaN/GaN MOSFET的HfO2/AlGaN界面效应
  • DOI：
  • 发表时间：
    2009
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Hayashi;S. Sugiura;S. Kishimoto;T. Mizutani
  • 通讯作者：
    T. Mizutani
HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション:過渡状態解
HfO2/AlGaN/GaN MOSFET 的器件仿真：瞬态解决方案
  • DOI：
  • 发表时间：
    2009
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Akira Miyazaki;Takayuki Yamazaki;Taikan Suehara;Shoji Asai;Toshita ka Idehara;et al.;林慶寿,岸本茂,水谷孝
  • 通讯作者：
    林慶寿,岸本茂,水谷孝
AlGaN/GaN MOSFETs with Al2O3 Gate Oxide Deposited by Atomic Layer Deposition
采用原子层沉积法沉积 Al2O3 栅极氧化物的 AlGaN/GaN MOSFET
  • DOI：
  • 发表时间：
    2009
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    E. Miyazaki;Y. Goda;S. Kishimoto;T. Mizutani
  • 通讯作者：
    T. Mizutani
Improvement of the electrical properties of Al2O3/AlGaN/GaN MOSHFETs by(NH4) 2S surface treatments
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    宮崎英志;岸本茂;水谷孝;前田祐作; 寺尾京平; 鈴木孝明; 下川房男; 高尾英邦;Mikio Sorimachi;E. Miyazaki and T. Mizutani
  • 通讯作者：
    E. Miyazaki and T. Mizutani
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  • 财政年份：
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  • 资助金额：
    $ 11.73万
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