Fabrication and characterization of normally-off GaN HEMTs

常断 GaN HEMT 的制造和表征

• 批准号: 18206041
• 负责人: MIZUTANI Takashi
• 金额: $ 32.45万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18206041/
• 关键词: GaN; HEMT、ノーマリオフ、MOSFET; InGaN cap; ひずみ分極; ノーマリオフ; GaN HEMT; Mgドーピング; MOSFET; HfO_2; 高耐圧; HEMT; フッ素プラズマ処理; ひずみ電界; しきい値電圧シフト; 電流DLTS

本研究では、開発の期待が高い高性能ノーマリオフ型GaN FETの課題を解決する方法として、InGaN cap層導入によるひずみ分極制御AlGaN/GaN HEMT、および高誘電率を有するHfO_2をゲート絶縁膜とするGaN MOSFET, AlGaN/GaN MOSFETを提案した。さらにデバイス試作により本提案の有効性を示すとともに、しきい値がおのおの1.1V, 3Vのノーマリオフ動作を実現し、また高い電流駆動能力を実証した。

在本研究中，我们将通过引入InGaN盖层开发应变极化控制的AlGaN/GaN HEMT，以及使用高介电常数HfO_2作为栅绝缘膜的GaN HEMT，作为解决高性能问题的方法。常关型 GaN FET，我们提出了 MOSFET、AlGaN/GaN MOSFET。此外，我们通过器件原型证明了该建议的有效性，实现了阈值1.1V和3V的常关操作，并展示了高电流驱动能力。