Control of grain size in a low-temperature-crystallized Si film using seed layer

使用籽晶层控制低温结晶硅薄膜的晶粒尺寸

• 批准号: 21560324
• 负责人: HORITA Susumu
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Japan Advanced Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560324/
• 关键词: 低温結晶化; Si薄膜; YSZ薄膜; 薄膜トランジスタ; 固相成長; 低温プロセス; 多結晶Si

We investigated low-temperature solid-state crystallization(SPC) of an amorphous Si(a-Si) film on a YSZ layer which stimulates the crystallization. As a result, it is found that 1) Y/(Zr+Y) ratio is needed more than 0. 15 for low-temperature crystallization, 2) due to YSZ layer, crystallization temperature becomes lower, 3) diffusion of Zr impurity into Si and surface roughness of Si film were reduced by SPC, 4) improvement of YSZ surface quality prior to Si film deposition is needed for better crystallization, and 5) thermal expansion between layers of TFT structure should be considered on its fabrication.

我们研究了YSZ层上无定形Si（A-Si）膜的低温固态结晶（SPC），该层刺激了结晶。结果，发现1）y/（Zr+y）比需要超过0。15对于低温结晶，2）由于YSZ层，结晶温度较低，3）ZR杂质扩散到通过SPC减少Si和Si膜的表面粗糙度，4）需要在Si膜沉积之前改善YSZ表面质量以更好地结晶，而5）在制造其制造时应考虑TFT结构层之间的热膨胀。

项目成果

Relation of YSZ stimulation layer crystalline quality with the low-temperature crystallization of the Si film

YSZ刺激层结晶质量与Si薄膜低温结晶的关系

• 发表时间: 2009
• 作者: スクリーン・ハナ;堀田將
• 通讯作者: 堀田將

固相成長による結晶化誘発YSZ層上の非晶質Si薄膜の結晶化

YSZ层上非晶硅薄膜的固相诱导晶化

• 发表时间: 2009
• 作者: 赤堀達矢;SUKREEN Hana,堀田將
• 通讯作者: SUKREEN Hana,堀田將

Enhancement of the crystalline quality of reactively sputtered yttria-stabilized zirconia by oxidation of the metallic target surface

通过金属靶表面的氧化提高反应溅射氧化钇稳定氧化锆的结晶质量

• 发表时间: 2009
• 期刊: Thin Solid Films
• 影响因子: 2.1
• 作者: S. Hana;K. Nishioka;and S. Horita
• 通讯作者: and S. Horita

H_2O_2溶液をバブリングしたオゾンガスとシリコーンオイルを用いて堆積した酸化Si薄膜の膜質特性

臭氧气体和H_2O_2溶液鼓泡硅油沉积的氧化硅薄膜的薄膜特性

• 发表时间: 2012
• 作者: Hideyuki Imai;Isaku Kanno;Ryuji Yokokawa;Kiyotaka Wasa;Hidetoshi Kotera;辻埜太一,谷口勇太,堀田將
• 通讯作者: 辻埜太一,谷口勇太,堀田將

Ysz層上の直接堆積Si薄膜の低温結晶化におけるF+Y単分子層のパッシベイション効果

F+Y单层在Ysz层直接沉积Si薄膜低温结晶中的钝化效应

• 发表时间: 2010
• 作者: M.Shimomura;K.Murakami;et al;堀田將
• 通讯作者: 堀田將