化合物半導体立体量子構造のゲート制御による単電子デバイスの高温動作化と高集積化
化合物半导体三维量子结构栅极控制单电子器件的高温运行和高集成度
基本信息
- 批准号：98J02337
- 负责人：
- 金额：$ 2.62万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份：1998
- 资助国家：日本
- 起止时间：1998 至 2000
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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