Study on preparation of advanced CIGS thin film solar cell by sequential evaporation from ternary compounds

三元化合物连续蒸镀制备先进CIGS薄膜太阳能电池的研究

• 批准号: 19560328
• 负责人: YAMAGUCHI Toshiyuki
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Wakayama National College of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560328/
• 关键词: 薄膜太陽電池; 三元化合物; カルコパイライト型; 連続成膜法; シーケンス蒸着

In order to fabricate advanced CIGS thin film solar cell, the preparation conditions of the sequential evaporation method using ternary compounds were examined. As a result, CIGS thin films controlled Ga and S contents were prepared, which could be applied to the single and multi junction solar cells. CIGS thin film solar cell with high Ga content was fabricated and demonstrated open circuit voltage V_<oc>=496mV, short circuit current density I_<sc>=27.57mA/cm^2, fill factor FF=0.508 and efficiency η=6.95%. These results were achieved, and there was progress.

为了制造高级CIGS薄膜太阳能电池，检查了使用三元化合物的顺序经济方法的制备条件。结果，制备了CIGS薄膜控制的GA和S含量，可以应用于单个和多连接太阳能电池。制造具有高ga含量的CIGS薄膜太阳能电池，并证明开路电压V_ <oc> = 496mV，短路电流密度I_ <sc> = 27.57mA/cm^2，填充因子FF = 0.508和效率η= 6.95％。这些结果得以实现，并取得了进展。

项目成果

Fabrication of Cu(In, Ga)Se_2 thin film solar cells with high Ga/III ratio by sequential evaporation from ternary compounds

三元化合物连续蒸发制备高Ga/III比Cu(In, Ga)Se_2薄膜太阳能电池

• 发表时间: 2008
• 期刊: Abstracts of 16th International Conference on Ternary and Multinary Compounds (Berlin, Sep. 15-19, 2008)
• 作者: T. Yamaguchi;A. Yoshida;T. Yamaguchi;T. Yamaguchi;T. Yamaguchi;T. Yamaguchi
• 通讯作者: T. Yamaguchi

Fabrication of solar cell with CuInSe2/high Ga/III ratio Cu(In, Ga)Se2 absorber by sequential evaporation from ternary compounds

通过三元化合物连续蒸发制备具有 CuInSe2/高 Ga/III 比 Cu(In, Ga)Se2 吸收剂的太阳能电池

• 发表时间: 2009
• 期刊: Physica Status Solidi C Vol.6,No.5
• 作者: T. Yamaguchi;Y. Asai;K. Yufune;S. Niiyama;T. Imanishi
• 通讯作者: T. Imanishi

Cu (In, Ga) Se_2薄膜太陽電池の成膜プロセスの検討

Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳能电池成膜工艺研究

• 发表时间: 2008
• 作者: 浅井康孝;山口利幸;新山茂利;今西敏人;奥尚之
• 通讯作者: 奥尚之

高Ga濃度Cu(In, Ga)Se2薄膜太陽電池の作製に関する研究

高Ga浓度Cu(In, Ga)Se2薄膜太阳能电池制备研究

• 发表时间: 2008
• 作者: 浅井康孝;山口利幸;新山茂利;今西敏人
• 通讯作者: 今西敏人

三元化合物からの真空蒸着法によるCu(In, Ga)(S, Se)_2薄膜の作製(II)

真空蒸发法制备三元化合物Cu(In,Ga)(S,Se)_2薄膜(II)

• 发表时间: 2007
• 作者: 石井清;佐久間洋志;山口利幸
• 通讯作者: 山口利幸