超高真空STM/STSによる化合物半導体表面の内因性欠陥の研究
使用超高真空 STM/STS 研究化合物半导体表面的本征缺陷
基本信息
- 批准号：02855163
- 负责人：
- 金额：$ 0.38万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份：1990
- 资助国家：日本
- 起止时间：1990 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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- 影响因子：0
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
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- 批准号：
04F04814 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 0.38万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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エネルギーフィルター電界放射顕微鏡による表面吸着電子状態解析の試み
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- 批准号：
11875009 - 财政年份：1999
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- 批准号：
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- 资助金额：
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- 批准号：
01750654 - 财政年份：1989
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- 批准号：
62750651 - 财政年份：1987
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