走査型トンネル電子分光による金属-半導体界面の形成過程の研究

扫描隧道电子能谱研究金属-半导体界面形成过程

基本信息

  • 批准号:
    01750654
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.51万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1989 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 通讯作者:
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  • 资助金额:
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  • 资助金额:
    $ 0.51万
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