半導体の原子尺度での制御に関する研究

半导体原子尺度控制研究

基本信息

  • 批准号:
    01306014
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.6万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1989 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究は、原子尺度で制御された半導体ー半導体超構造ーについて、個々に進められている研究を総合的かつ効果的に進めるために、研究の内容、進め方について討議すること、および重点領域研究の研究領域として研究を推進するための組織作りを行なうことを目的とした。四つの重要研究項目(原子尺度の半導体超構造の基礎、原子尺度の半導体超構造の作製、原子尺度での評価、原子尺度の半導体超構造の物性とその応用)を設定し、各分担者が各自の準備研究を推進するとともに、各種学会、国際会議等に出席して内外の研究動向の調査を行なった。主要研究課題、具体的な研究手法、研究を推進するための組織などにつき討議するため、数回にわたる小規模の会合を重ねた。これらの検討会では、各分担課題について質疑応答を行ない、さらに、本研究を重点領域研究の研究領域として申請する(申請領域名:半導体超構造の原子尺度での制御)ことが合意され、その内容の詳細な検討を行った。以上の結果、重点領域研究で取り組むべき研究課題が明確になり、重要研究課題を効果的に推進するための組織作りが行なわれ、本研究の所期の目的が達成された。
本研究旨在讨论研究的内容和方法,以全面有效地推进原子尺度控制的半导体和半导体超结构的个别研究,并重点关注优先领域的研究,目的是创建一个促进研究的组织。作为研究领域。我们设立了四个重要的研究课题(原子尺度半导体超结构的基础、原子尺度半导体超结构的制造、原子尺度的评估、原子尺度半导体超结构的物理性质及其应用),每个负责人除了宣传自己的前期研究期间,他们参加各种学术会议和国际会议,调查国内外研究动态。召开了多次小型会议,讨论主要研究课题、具体研究方法以及推动研究的组织工作。在这些审查会议上,针对每个分配的主题进行了问答,并同意该研究将作为优先领域研究的研究领域(应用领域名称:半导体超结构的原子尺度控制)。对内容进行了详细审查。从而明确了重点领域研究需要解决的研究问题,成立了有效推进重要研究问题的组织机构,达到了本研究的预期目的。

项目成果

期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
吉野淳二(T.Yasuda): "The Dependence of Light Intensity on Surface Morphology and Impurity Incorporation for ZnSe Growh by Photo Assisted MOVPE" Japanese Journal of Applied Physics. 28. L1628-L1630 (1989)
Junji Yoshino (T.Yasuda):“通过光辅助 MOVPE 生长 ZnSe 时光强度对表面形态和杂质掺入的依赖性”《日本应用物理学杂志》28。L1628-L1630 (1989)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
伊藤良一: "半導体レ-ザ[基礎と応用]" 培風館, 326 (1989)
伊藤良一:“半导体激光[基础与应用]”Baifukan,326(1989)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
伊藤良一(G.P.Li): "Fabrication of GaAs ultrafine diffraction gratings by SiCl_4 reactive ion etching" Applied Physics Letters.
Ryoichi Ito (G.P.Li):“通过 SiCl_4 反应离子蚀刻制作 GaAs 超细衍射光栅”《应用物理快报》。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
安藤恒也: "Numerical Study of Symmetry Effects on Localization in Two Dimensions" Physical Review. B40. 5325-5339 (1989)
安藤恒哉:“对称性对二维定位效应的数值研究”物理评论 B40(1989)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
津田穣: "Atomic Layer Epitaxial Growth Mechanism of a Gallium Layer on the (100)As Surface of GaAs Crystals in MOVPE" Journal of Crystal Growth.
Minoru Tsuda:“MOVPE 中 GaAs 晶体 (100)As 表面镓层的原子层外延生长机制”晶体生长杂志。
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  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • 期刊:
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    0
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    $ 1.6万
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  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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