Development of Fundamental Technologies of III-Nitride Semiconductor Optical Devices with "1-monolayer" Quantum Well Structures
“单层”量子阱结构III族氮化物半导体光器件基础技术开发
基本信息
- 批准号：23246056
- 负责人：
- 金额：$ 31.37万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2011
- 资助国家：日本
- 起止时间：2011-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（107）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effect of Mg doping on the structural and free-charge carrier properties of InN films
- DOI：10.1063/1.4871975
- 发表时间：2014-04-28
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：Xie, M. -Y.;Ben Sedrine, N.;Darakchieva, V.
- 通讯作者：Darakchieva, V.
窒化物半導体超薄膜量子井戸構造/短周期超格子の形成とSMART太陽電池への展開-InGaN系窒化物半導体のエピタキシ制御から超薄膜ナノ構造光デバイス開発へ-
氮化物半导体超薄膜量子阱结构/短周期超晶格的形成及其在智能太阳能电池中的应用 - 从InGaN基氮化物半导体的外延控制到超薄膜纳米结构光学器件的开发 -
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：浅本晋吾， 横井太一;平林雅也;小林薫;吉川明彦
- 通讯作者：吉川明彦
MOVPE-InGaN/Sapphire太陽電池の作製・評価
MOVPE-InGaN/蓝宝石太阳能电池的制造和评估
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：郡司大輔;佐藤基;居村岳広;藤本博志;M. Hayashi;山本智博
- 通讯作者：山本智博
Prospects and problems for III-N solar cells: Theoretical and experimental
III-N太阳能电池的前景和问题：理论和实验
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Akihiko Yoshikawa;Kazuhide Kusakabe;Ke Wang;and Naoki Hashimoto
- 通讯作者：and Naoki Hashimoto
Junction Leakage Resistance of III-N Solar Cells grown on GaN Substrates by MBE and MOVPE
通过 MBE 和 MOVPE 在 GaN 衬底上生长的 III-N 太阳能电池的结漏电阻
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kazuhide Kusakabe;Naoki Hashimoto;and Akihiko Yoshikawa
- 通讯作者：and Akihiko Yoshikawa
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YOSHIKAWA Akihiko其他文献
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Study on the polarity control of hexagonal-structure widegap compound semiconductors and its effect on the material control
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