Development of High Efficiency Photovoltaic Cells Using Electron Localized States in Dilute Nitride Semiconductors

利用稀氮化物半导体中的电子局域态开发高效光伏电池

基本信息

  • 批准号:
    19H02612
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(16)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
第一原理計算によるGaPN 混晶におけるバンドテイル状態の検討
利用第一性原理计算研究 GaPN 混晶中的带尾态
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    相良 鋼;高宮 健吾;八木 修平;矢口 裕之;矢口裕之
  • 通讯作者:
    矢口裕之
Detection of Nonradiative Recombination Centers in GaPN by Combining Two‐Wavelength Excited Photoluminescence and Time‐Resolved Photoluminescence
结合双波长激发光致发光和时间分辨光致发光检测 GaPN 中的非辐射复合中心
  • DOI:
    10.1002/pssb.202100119
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sanjida Ferdous;Hiroki Iwai;Norihiko Kamata;Hiroyuki Yaguchi;Shuhei Yagi
  • 通讯作者:
    Shuhei Yagi
Detection of nonradiative recombination centers in GaPN (N:0.105%) by below-gap excitation light
检测%20of%20nonradiative%20recombination%20centers%20in%20GaPN%20(N:0.105%)%20by%20below-gap%20excitation%20light
  • DOI:
    10.1002/pssb.201900377
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Ferdous;N. Kamata;S. Yagi;and H. Yaguchi
  • 通讯作者:
    and H. Yaguchi
中間バンド型GaPN混晶のキャリア再結合過程の光学的評価:窒素濃度1.4%と3.2%の比較
中带GaPN混晶载流子复合过程的光学评价:氮浓度1.4%和3.2%的比较
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岩井 広樹;フェルドス サンジーダ;鎌田 憲彦;八木 修平;矢口 裕之
  • 通讯作者:
    矢口 裕之
Two-Wavelength Excited Photoluminescence Study of Upconversion Photoluminescence from GaPN Alloys
GaPN 合金上转换光致发光的双波长激发光致发光研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hiroyuki Yaguchi;Wataru Takahashi;Kengo Takamiya;Shuhei Yagi;Norihiko Kamata;Yuji Hazama and Hidefumi Akiyama
  • 通讯作者:
    Yuji Hazama and Hidefumi Akiyama
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Yaguchi Hiroyuki其他文献

超高齢者・百寿者の幸福感の高さの謎に迫る
揭开高龄老人和百岁老人幸福感背后的秘密
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kobayashi Harumi;Kobori Oga;Ihara Yasuo;Yaguchi Hiroyuki;Yasuda Tetsuya;増井幸恵,権藤恭之,中川威,小野口航,小川まどか,吉田祐子,安元佐織,蔡羽淳,松本清明,石岡良子,石崎達郎;芝崎良典・芝崎美和;増井幸恵,中川 威,権藤恭之,吉田祐子,小川まどか,稲垣宏樹,小野口 航,石岡良子,蔡 羽淳,松本清明,安元佐織;芝崎良典・芝崎美和;小林朋子訳 (Kevin,H著 伊藤靖・芦谷道子編集訳);増井幸恵
  • 通讯作者:
    増井幸恵
Simultaneous kinematic calibration, localization, and mapping (SKCLAM) for industrial robot manipulators
工业机器人机械手的同步运动校准、定位和绘图 (SKCLAM)
  • DOI:
    10.1080/01691864.2019.1689166
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2
  • 作者:
    Li Jinghui;Ito Akitoshi;Yaguchi Hiroyuki;Maeda Yusuke
  • 通讯作者:
    Maeda Yusuke
ひとと理解しあえるという思いと孤独感との関連
相互理解的愿望与孤独感之间的关系
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kobayashi Harumi;Kobori Oga;Ihara Yasuo;Yaguchi Hiroyuki;Yasuda Tetsuya;増井幸恵,権藤恭之,中川威,小野口航,小川まどか,吉田祐子,安元佐織,蔡羽淳,松本清明,石岡良子,石崎達郎;芝崎良典・芝崎美和
  • 通讯作者:
    芝崎良典・芝崎美和
睡眠量が認知機能に及ぼす影響
睡眠时间对认知功能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kobayashi Harumi;Kobori Oga;Ihara Yasuo;Yaguchi Hiroyuki;Yasuda Tetsuya;増井幸恵,権藤恭之,中川威,小野口航,小川まどか,吉田祐子,安元佐織,蔡羽淳,松本清明,石岡良子,石崎達郎;芝崎良典・芝崎美和;増井幸恵,中川 威,権藤恭之,吉田祐子,小川まどか,稲垣宏樹,小野口 航,石岡良子,蔡 羽淳,松本清明,安元佐織;芝崎良典・芝崎美和
  • 通讯作者:
    芝崎良典・芝崎美和
Understanding ostensive behavior in making inferences of referential intentions
理解推断指称意图时的明示行为
  • DOI:
    10.5178/lebs.2022.90
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kobayashi Harumi;Kobori Oga;Ihara Yasuo;Yaguchi Hiroyuki;Yasuda Tetsuya
  • 通讯作者:
    Yasuda Tetsuya

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电磁执行器组的开发及内外同时检测测量系统的实现
  • 批准号:
    18K04176
  • 财政年份:
    2018
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    $ 11.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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    21KK0068
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    2021
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    $ 11.15万
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    Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (B))
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    2020
  • 资助金额:
    $ 11.15万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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高度失配混合晶体的中能带工程以改善带间跃迁
  • 批准号:
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  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Research on high-efficiency intermediate band tandem solar cells based on dilute nitride alloys
基于稀氮化合金的高效中能带叠层太阳能电池研究
  • 批准号:
    17KK0127
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 11.15万
  • 项目类别:
    Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
H-induced modification of dilute nitride semiconductors and control of N-H atomic bonds
稀氮化物半导体的 H 诱导改性及 N-H 原子键的控制
  • 批准号:
    16K21007
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 11.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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