Nano MOSFET Fluctuations and Device Integrity
Nano MOSFET 波动和器件完整性
基本信息
- 批准号：18063006
- 负责人：
- 金额：$ 32.77万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份：2006
- 资助国家：日本
- 起止时间：2006 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Random variability has been studied by measurements and simulation. It has been clarified that SOI MOSFETs with very thin buried oxide is less sensitive to random dopant fluctuations. A new method of self-suppression of variability after chip fabrication has been proposed and its validity has been demonstrated by simulation.
通过测量和模拟研究了随机变异性。已经明确的是，具有非常薄的埋层氧化物的 SOI MOSFET 对随机掺杂波动不太敏感。提出了一种芯片制造后自抑制变异性的新方法，并通过仿真验证了其有效性。
项目成果
期刊论文数量（68）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Random Vth Variation Induced by Gate Edge Fluctuations in Nanoscale MOSFETs
纳米级 MOSFET 中栅极边缘波动引起的随机 Vth 变化
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A.T.Putra;A.Nishida;S.Kamohara;T.Hiramoto
- 通讯作者：T.Hiramoto
Vth Dependence of Vth Variability in Intrinsic Channel SOI MOSFETs with Ultra-Thin BOX
具有超薄 BOX 的本征通道 SOI MOSFET 中 Vth 变化的 Vth 依赖性
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：C.Lee;A.T.Putra;K.Shimizu;T.Hiramoto
- 通讯作者：T.Hiramoto
Measurements and characterization of statistical variability
统计变异性的测量和表征
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yutaro;Mukudai・Tomotsugu;Shimokawa・Akihiro;Nakatani;T.Hiramoto
- 通讯作者：T.Hiramoto
Improvement of Static Noise Margin SRAM by Post-Fabrication Self-Convergence Technique
利用后加工自收敛技术改进静态噪声容限SRAM
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M.Suzuki;T.Saraya;K.Shimizu;T.Sakurai;T.Hiramoto;Makoto Suzuki
- 通讯作者：Makoto Suzuki
Improvement of Static Noise Margin in SRAM by Post-Fabrication Self-Convergence Technique
通过后加工自收敛技术改善 SRAM 中的静态噪声容限
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M.Suzuki;T.Saraya;K.Shimizu;T.Sakurai;T.Hiramoto
- 通讯作者：T.Hiramoto
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