Next generation spin transistors using high-quality interfaces

使用高质量接口的下一代自旋晶体管

基本信息

  • 批准号:
    26249039
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 26.54万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(129)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Recent progress in III-V based ferromagnetic semiconductors: Band structure. fermi level, and tunneling transport (invited paper)
III-V 族铁磁半导体的最新进展:能带结构。
  • DOI:
    10.1063/1.4840136
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    15
  • 作者:
    Masaaki Tanaka;Shinobu Ohya;and Pham Nam Hai (invited)
  • 通讯作者:
    and Pham Nam Hai (invited)
Spin-dependent transport properties of a GaMnAs-based vertical spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistor structure
  • DOI:
    10.1063/1.4937437
  • 发表时间:
    2015-12-14
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Kanaki, Toshiki;Asahara, Hirokatsu;Tanaka, Masaaki
  • 通讯作者:
    Tanaka, Masaaki
Observation of the room-temperature local ferromagnetism and its nanoscale growth in the ferromagnetic semiconductor GeFe
铁磁半导体GeFe中室温局域铁磁性及其纳米级生长的观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. K. Wakabayashi ;S. Sakamoto ;Y. Takeda ;K. Ishigami ;Y. Takahashi ;Y. Saitoh ;H. Yamagami ;A. Fujimori ;M. Tanaka ;S. Ohya
  • 通讯作者:
    S. Ohya
Large current modulation ratio up to 130% in a GaMnAs-based all-solid-state vertical spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
大%20电流%20调制%20比率%20up%20to%20130%%20in%20a%20GaMnAs基%20全固态%20垂直%20旋转%20金属氧化物半导体%20场效应%20晶体管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Toshiki Kanaki;Hiroki Yamasaki;Tomohiro Koyama;Daichi Chiba;Shinobu Ohya;Masaaki Tanaka
  • 通讯作者:
    Masaaki Tanaka
Spin-dependent tunnelingin La0.67Sr0.33MnO3-based magnetic tunneljunctions with an LaMnO3 barrier
具有 LaMnO3 势垒的 La0.67Sr0.33MnO3 基磁隧道结中的自旋相关隧道效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Matou;K. Takeshima;M. Tanaka;and S. Ohya
  • 通讯作者:
    and S. Ohya
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Ohya Shinobu其他文献

Improved performance of a GaMnAs-based vertical spin electric double-layer transistor
GaMnAs基垂直自旋电双层晶体管的性能改进
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    10.7567/jjap.57.090301
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Kanaki Toshiki;Yamasaki Hiroki;Terada Hiroshi;Iwasa Yoshihiro;Ohya Shinobu;Tanaka Masaaki
  • 通讯作者:
    Tanaka Masaaki
研磨の見える化(評価技術)とその技術動向
抛光可视化(评价技术)及其技术趋势
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Anh Le Duc;Okamoto Noboru;Seki Munetoshi;Tabata Hitoshi;Tanaka Masaaki;Ohya Shinobu;畝田道雄
  • 通讯作者:
    畝田道雄
五訂版 GISと地理空間情報
第五版 GIS 和地理空间信息
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Terada Hiroshi;Ohya Shinobu;Tanaka Masaaki;橋本 雄一
  • 通讯作者:
    橋本 雄一
教育機関における合理的配慮の現状と課題--教科書のアクセシビリティと大学における支援を中心に--
教育机构合理便利的现状和挑战——重点关注大学教科书的可及性和支持——
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kanaki Toshiki;Yamasaki Hiroki;Koyama Tomohiro;Chiba Daichi;Ohya Shinobu;Tanaka Masaaki;中野泰志
  • 通讯作者:
    中野泰志
Ag, AlおよびGaを用いた紫外プラズモ二クスによるZnO薄膜の発光増強
使用 Ag、Al 和 Ga 的紫外等离子体激元增强 ZnO 薄膜的发光
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kaneta-Takada Shingo;Kitamura Miho;Arai Shoma;Arai Takuma;Okano Ryo;Anh Le Duc;Endo Tatsuro;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;Kobayashi Masaki;Seki Munetoshi;Tabata Hitoshi;Tanaka Masaaki;Ohya Shinobu;遠藤創志,中塚祐哉,松山哲也,和田健司,岡本晃一
  • 通讯作者:
    遠藤創志,中塚祐哉,松山哲也,和田健司,岡本晃一

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Novel ultra low-power magnetization switching using electron-orbital control
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    2019
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半导体-氧化物复合纳米线的构建及其在光催化剂中的应用
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    16H05970
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 26.54万
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    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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开创性开发宽带隙III族氧化物/氮化物异质结构的基础技术
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  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 26.54万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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知道了