Establishment of semiconductor-oxide composite nanowires and its application to photocatalyst
半导体-氧化物复合纳米线的构建及其在光催化剂中的应用
基本信息
- 批准号:16H05970
- 负责人:
- 金额:$ 16.06万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Dilute Nitride Nanowire Lasers Based on a GaAs/GaNAs Core/Shell Structure
- DOI:10.1021/acs.nanolett.6b05097
- 发表时间:2017-03-01
- 期刊:
- 影响因子:10.8
- 作者:Chen, Shula;Jansson, Mattias;Buyanova, Irina A.
- 通讯作者:Buyanova, Irina A.
Characteristics of GaAs/AlGaAs core-multishell structures having native oxide AlGaO Outermost shell
具有原生氧化物 AlGaO 最外壳的 GaAs/AlGaAs 核-多壳结构的特性
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:R. Tsutsumi;N. Tsuda;B. Zhang;W. M. Chen;I. A Buyanova;F. Ishikawa
- 通讯作者:F. Ishikawa
Growth of Dilute Nitride Core-Multishell Nanowires
稀氮化物核-多壳纳米线的生长
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Ryo Fujiwara;Mitsuki Yukimune;Fumitaro Ishikawa
- 通讯作者:Fumitaro Ishikawa
T. Mita, R. Fujiwara, M. Yukimune, R. Tsutsumi, F. Ishikawa
T.三田、R.藤原、M.幸宗、R.堤、F.石川
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Yukimune;R. Fujiwara;T. Mita;F. Ishikawa;Molecular beam epitaxial growth of various diluted nitride nanowires
- 通讯作者:Molecular beam epitaxial growth of various diluted nitride nanowires
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Ishikawa Fumitaro其他文献
AlGaAs/GaAs 系二次元電子ガスによる出力因子増大
通过 AlGaAs/GaAs 二维电子气提高功率因数
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Okujima Masahiro;Yoshikawa Kohei;Mori Shota;Yukimune Mitsuki;Richards Robert D.;Zhang Bin;Chen Weimin M.;Buyanova Irina A.;Ishikawa Fumitaro;上松 悠人 - 通讯作者:
上松 悠人
長崎県島原半島南部口之津地域に分布する玄武岩の 年代と岩石学的特徴
长崎县岛原半岛南部口之津地区分布的玄武岩年龄及岩石学特征
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
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2022 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
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Ishikawa Fumitaro
半導体ナノ構造の熱電特性
半导体纳米结构的热电性能
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Minehisa Keisuke;Murakami Ryo;Hashimoto Hidetoshi;Nakama Kaito;Sakaguchi Kenta;Tsutsumi Rikuo;Tanigawa Takeru;Yukimune Mitsuki;Nagashima Kazuki;Yanagida Takeshi;Sato Shino;Hiura Satoshi;Murayama Akihiro;Ishikawa Fumitaro;中村 芳明 - 通讯作者:
中村 芳明
Ca/Si界面反応制御によるエピタキシャルCaSi2薄膜の高出力因子化
通过Ca/Si界面反应控制外延CaSi2薄膜的高功率因数化
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Zhang Bin;Stehr Jan E.;Chen Ping‐Ping;Wang Xingjun;Ishikawa Fumitaro;Chen Weimin M.;Buyanova Irina A.;吉塚和治;寺田 吏 - 通讯作者:
寺田 吏
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Optical, electronic, and spin engineering by semiconductor/oxide composite nanowires
半导体/氧化物复合纳米线的光学、电子和自旋工程
- 批准号:
19H00855 - 财政年份:2019
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$ 16.06万 - 项目类别:
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Establishing doping technique for semi-conducting nano-polycrystalline diamond
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- 批准号:
17K18883 - 财政年份:2017
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$ 16.06万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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高压高温技术构建载流子控制半导体金刚石
- 批准号:
15K13957 - 财政年份:2015
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$ 16.06万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
瞬間剥離可能なGaAsエピ層の転位密度低減に向けた層状化合物中間層のステップ制御
层状化合物中间层阶跃控制降低易剥离GaAs外延层位错密度
- 批准号:
22K04957 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 16.06万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
極薄フラックスを利用したカルコパイライト型リン化物薄膜のMBE成長
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- 批准号:
21J12760 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 16.06万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Exploring novel dilute nitride and bismide quantum light source innovating optical communications
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- 批准号:
21KK0068 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 16.06万 - 项目类别:
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (B))
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- 批准号:
21K04914 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 16.06万 - 项目类别:
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Development of three-dimensional barrier layer for improving carrier collection efficiency in quantum dot solar cells
开发三维势垒层以提高量子点太阳能电池的载流子收集效率
- 批准号:
20K15183 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 16.06万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists