Low voltage operation of new functional circuits by a silicon single electron transistor and CMOS at room temperature
硅单电子晶体管和 CMOS 新型功能电路在室温下低压运行
基本信息
- 批准号：15H02247
- 负责人：
- 金额：$ 28.04万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（13）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Characteristics of Silicon Nanowire Transistors for Integration with Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors
与室温工作硅单电子晶体管集成的硅纳米线晶体管的特性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kazumasa Miura;Seiichiro Katsura;D. Wang and T. Namihira;T. Hiramoto
- 通讯作者：T. Hiramoto
Enhanced Variability by Quantum Confinement Effects in Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Nanowire Width down to 2nm
纳米线宽度低至 2nm 的极窄硅纳米线 MOSFET 中的量子限制效应增强了可变性
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Toshiro Hiramoto
- 通讯作者：Toshiro Hiramoto
Integrated Circuits Composed of Nanowire and Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature
室温下工作的纳米线和单电子晶体管组成的集成电路
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Teramoto;Y. Nakao;T. Suwa;K. Hashimoto;T. Motoya;M. Hirayama;S. Sugawa;and T. Ohmi;Tomoko Mizutani
- 通讯作者：Tomoko Mizutani
Detection of Charge Traps in Silicon Nanowire MOSFETs Using Transient Current Measurements
使用瞬态电流测量检测硅纳米线 MOSFET 中的电荷陷阱
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：佐藤基;居村岳広;藤本博志;Boyang Cui
- 通讯作者：Boyang Cui
Threshold Voltage and Current Variability of Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Width down to 2nm
宽度低至 2nm 的极窄硅纳米线 MOSFET 的阈值电压和电流变化
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：高木敏行;三木寛之;竹野貴法;後藤太一,橋本良介,磯谷亮介,鈴木裕太,荒木隆平,高木宏幸,井上光輝;T. Mizutani
- 通讯作者：T. Mizutani
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Hiramoto Toshiro其他文献
Device modeling of oxide?semiconductor channel antiferroelectric FETs using half-loop hysteresis for memory operation
使用半环磁滞进行存储器操作的氧化物半导体通道反铁电 FET 的器件建模
- DOI：
10.35848/1347-4065/acac3b - 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Huang Xingyu;Itoya Yuki;Li Zhuo;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro;Kobayashi Masaharu - 通讯作者：
Kobayashi Masaharu
シリコンダブル量子ドットの作製と低温特性評価
硅双量子点的制备及低温性能评价
- DOI：
- 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro;金 駿午 - 通讯作者：
金 駿午
Subthreshold Swing in Silicon Gate-All-Around Nanowire and Fully Depleted SOI MOSFETs at Cryogenic Temperature
低温下硅栅极全纳米线和全耗尽型 SOI MOSFET 的亚阈值摆幅
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- 影响因子：2.3
- 作者：
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Hiramoto Toshiro
湾曲型空気圧ゴム人工筋を用いた腰部アシストスーツの開発
使用弯曲气动橡胶人工肌肉的腰部辅助服的开发
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kobayashi Masaharu;Wu Jixuan;Sawabe Yoshiki;Takuya Saraya;Hiramoto Toshiro;島崎亮太，宮嵜哲郎，川嶋健嗣，藤田壽憲 - 通讯作者：
島崎亮太，宮嵜哲郎，川嶋健嗣，藤田壽憲
Scalability Study on Ferroelectric-HfO 2 Tunnel Junction Memory
铁电-HfO 2 隧道结存储器的可扩展性研究
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Fei Mo;Tagawa Yusaku;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro;Kobayashi Masaharu - 通讯作者：
Kobayashi Masaharu
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- 资助金额：
$ 28.04万 - 项目类别：
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Basic research on influence of single impurity atom on statistics of nanoscale transistor characteristics
单一杂质原子对纳米晶体管特性统计影响的基础研究
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シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー
硅纳米电子学新进展——后缩放技术
- 批准号：
17636001 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 28.04万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)