Creation of New Functionalities by Integration of Room-Temperature Operating Single Electron Transistors and Large-Scale CMOS Circuits
通过集成室温工作单电子晶体管和大规模 CMOS 电路创造新功能
基本信息
- 批准号：23246064
- 负责人：
- 金额：$ 31.28万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2011
- 资助国家：日本
- 起止时间：2011-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（20）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Peak Position Control of Coulomb Blockade Oscillations in Silicon Single-Electron Transistors with Floating Gate Operating at Room Temperature
室温下浮栅硅单电子晶体管库仑封锁振荡的峰值位置控制
- DOI：10.7567/jjap.53.04ej08
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Yuma Tanahashi;Ryota Suzuki;Takuya Saraya;Toshiro Hiramoto
- 通讯作者：Toshiro Hiramoto
Characteristics Control of Single Electron Transistor with Floating Gate by Charge Pump Circuit
电荷泵电路对浮栅单电子晶体管特性的控制
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：永妻 忠夫;久武 信太郎;Motoki Nozue
- 通讯作者：Motoki Nozue
シリコンナノワイヤチャネルを有する室温動作単電子/単正孔トランジスタにおけるドット形成メカニズム
具有硅纳米线通道的室温单电子/单孔晶体管的点形成机制
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：永妻忠夫;久武信太郎;鈴木龍太，野末喬城，更屋拓哉，平本俊郎
- 通讯作者：鈴木龍太，野末喬城，更屋拓哉，平本俊郎
Integration of 1-bit CMOS Address Decoders and Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature
1 位 CMOS 地址解码器和室温下工作的单电子晶体管的集成
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ryota Suzuki;Motoki Nozue;Takuya Saraya;and Toshiro Hiramoto
- 通讯作者：and Toshiro Hiramoto
室温動作シリコン単電子トランジスタとCMOSアナログセレクタ回路の集積化
室温硅单电子晶体管与CMOS模拟选择器电路的集成
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：J.Serrano;et al.;鈴木龍太，野末喬城，更屋拓哉，平本俊郎
- 通讯作者：鈴木龍太，野末喬城，更屋拓哉，平本俊郎
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Hiramoto Toshiro其他文献
Device modeling of oxide?semiconductor channel antiferroelectric FETs using half-loop hysteresis for memory operation
使用半环磁滞进行存储器操作的氧化物半导体通道反铁电 FET 的器件建模
- DOI：
10.35848/1347-4065/acac3b - 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Huang Xingyu;Itoya Yuki;Li Zhuo;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro;Kobayashi Masaharu - 通讯作者：
Kobayashi Masaharu
シリコンダブル量子ドットの作製と低温特性評価
硅双量子点的制备及低温性能评价
- DOI：
- 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro;金 駿午 - 通讯作者：
金 駿午
Subthreshold Swing in Silicon Gate-All-Around Nanowire and Fully Depleted SOI MOSFETs at Cryogenic Temperature
低温下硅栅极全纳米线和全耗尽型 SOI MOSFET 的亚阈值摆幅
- DOI：
10.1109/jeds.2021.3108854 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：
Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro - 通讯作者：
Hiramoto Toshiro
湾曲型空気圧ゴム人工筋を用いた腰部アシストスーツの開発
使用弯曲气动橡胶人工肌肉的腰部辅助服的开发
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kobayashi Masaharu;Wu Jixuan;Sawabe Yoshiki;Takuya Saraya;Hiramoto Toshiro;島崎亮太，宮嵜哲郎，川嶋健嗣，藤田壽憲 - 通讯作者：
島崎亮太，宮嵜哲郎，川嶋健嗣，藤田壽憲
Scalability Study on Ferroelectric-HfO 2 Tunnel Junction Memory
铁电-HfO 2 隧道结存储器的可扩展性研究
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Fei Mo;Tagawa Yusaku;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro;Kobayashi Masaharu - 通讯作者：
Kobayashi Masaharu
Hiramoto Toshiro的其他文献
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{{ truncateString('Hiramoto Toshiro', 18)}}的其他基金
Self-Convergence Mechanism of Transistor Characteristics Variability for 0.1V Operation
0.1V 操作下晶体管特性变化的自收敛机制
- 批准号：
17K18866 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 31.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Ultra-Low Voltage Operating Silicon Nanowire Transistors with Threshold Voltage Self-Adjusting Mechanism
具有阈值电压自调节机制的超低压工作硅纳米线晶体管
- 批准号：
15K13967 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 31.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Low voltage operation of new functional circuits by a silicon single electron transistor and CMOS at room temperature
硅单电子晶体管和 CMOS 新型功能电路在室温下低压运行
- 批准号：
15H02247 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 31.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
相似海外基金
Exploitation of High Voltage CMOS sensors for tracking applications in physics experiments and beyond
利用高压 CMOS 传感器跟踪物理实验及其他领域的应用
- 批准号：
MR/X023834/1 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 31.28万 - 项目类别：
Fellowship
Beyond CMOSのための省配線プロセッサアーキテクチャとその自動生成に関する研究
Beyond CMOS省线处理器架构及其自动生成研究
- 批准号：
24K02913 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 31.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
FuSe: Bio-inspired sensorimotor control for robotic locomotion with neuromorphic architectures using beyond-CMOS materials and devices
FuSe：使用超越 CMOS 材料和设备的神经形态架构的机器人运动仿生感觉运动控制
- 批准号：
2328815 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 31.28万 - 项目类别：
Continuing Grant
Circuits and Architecture Innovations for Beyond CMOS Scaling
超越 CMOS 缩放比例的电路和架构创新
- 批准号：
RGPIN-2020-06828 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 31.28万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
A capability for patterning beyond-CMOS devices at atomic scale
在原子尺度上对超越 CMOS 器件进行图案化的能力
- 批准号：
EP/V054120/1 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 31.28万 - 项目类别：
Research Grant