Ultra-Low Voltage Operating Silicon Nanowire Transistors with Threshold Voltage Self-Adjusting Mechanism
具有阈值电压自调节机制的超低压工作硅纳米线晶体管
基本信息
- 批准号：15K13967
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（1）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Vth Self-Adjusting Tri-Gate Nanowire MOSFET for Stability Improvement of SRAM Cell Operating at 0.1 V
Vth 自调节三栅极纳米线 MOSFET，可提高在 0.1V 电压下运行的 SRAM 单元的稳定性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Seung-Min Jung
- 通讯作者：Seung-Min Jung
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Hiramoto Toshiro其他文献
Device modeling of oxide?semiconductor channel antiferroelectric FETs using half-loop hysteresis for memory operation
使用半环磁滞进行存储器操作的氧化物半导体通道反铁电 FET 的器件建模
- DOI：
10.35848/1347-4065/acac3b - 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Huang Xingyu;Itoya Yuki;Li Zhuo;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro;Kobayashi Masaharu - 通讯作者：
Kobayashi Masaharu
シリコンダブル量子ドットの作製と低温特性評価
硅双量子点的制备及低温性能评价
- DOI：
- 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro;金 駿午 - 通讯作者：
金 駿午
Subthreshold Swing in Silicon Gate-All-Around Nanowire and Fully Depleted SOI MOSFETs at Cryogenic Temperature
低温下硅栅极全纳米线和全耗尽型 SOI MOSFET 的亚阈值摆幅
- DOI：
10.1109/jeds.2021.3108854 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：
Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro - 通讯作者：
Hiramoto Toshiro
湾曲型空気圧ゴム人工筋を用いた腰部アシストスーツの開発
使用弯曲气动橡胶人工肌肉的腰部辅助服的开发
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kobayashi Masaharu;Wu Jixuan;Sawabe Yoshiki;Takuya Saraya;Hiramoto Toshiro;島崎亮太，宮嵜哲郎，川嶋健嗣，藤田壽憲 - 通讯作者：
島崎亮太，宮嵜哲郎，川嶋健嗣，藤田壽憲
Scalability Study on Ferroelectric-HfO 2 Tunnel Junction Memory
铁电-HfO 2 隧道结存储器的可扩展性研究
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Fei Mo;Tagawa Yusaku;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro;Kobayashi Masaharu - 通讯作者：
Kobayashi Masaharu
Hiramoto Toshiro的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Hiramoto Toshiro', 18)}}的其他基金
Self-Convergence Mechanism of Transistor Characteristics Variability for 0.1V Operation
0.1V 操作下晶体管特性变化的自收敛机制
- 批准号：
17K18866 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Low voltage operation of new functional circuits by a silicon single electron transistor and CMOS at room temperature
硅单电子晶体管和 CMOS 新型功能电路在室温下低压运行
- 批准号：
15H02247 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Creation of New Functionalities by Integration of Room-Temperature Operating Single Electron Transistors and Large-Scale CMOS Circuits
通过集成室温工作单电子晶体管和大规模 CMOS 电路创造新功能
- 批准号：
23246064 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
相似海外基金
Self-Convergence Mechanism of Transistor Characteristics Variability for 0.1V Operation
0.1V 操作下晶体管特性变化的自收敛机制
- 批准号：
17K18866 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Low voltage operation of new functional circuits by a silicon single electron transistor and CMOS at room temperature
硅单电子晶体管和 CMOS 新型功能电路在室温下低压运行
- 批准号：
15H02247 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Basic research on influence of single impurity atom on statistics of nanoscale transistor characteristics
单一杂质原子对纳米晶体管特性统计影响的基础研究
- 批准号：
26630148 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Creation of New Functionalities by Integration of Room-Temperature Operating Single Electron Transistors and Large-Scale CMOS Circuits
通过集成室温工作单电子晶体管和大规模 CMOS 电路创造新功能
- 批准号：
23246064 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー
硅纳米电子学新进展——后缩放技术
- 批准号：
17636001 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)