シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー

硅纳米电子学新进展——后缩放技术

基本信息

  • 批准号:
    17636001
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.11万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2005
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2005 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Si超々大規模集積回路に対する従来の「スケーリング則」による対処療法的方策は、材料固有の物性限界に阻まれ、将来展望を見失っている。我々はSiテクノロジーを基盤としながら、従来材料の物性限界を打破するための一連の技術を『シリコンテクノロジーにおけるポストスケーリング技術』と位置づけ、以下の4項目について調査・研究を行った。(各テーマ分担者を括弧内に示す。)(1)ナノスケールデバイスプロセス・マテリアル:低電圧化・超高速化を同時に達成する超高移動度Geチャネル技術とGe/High-kゲートスタック技術。(高木、財満、櫻庭、渡部、寺本)(2)ナノ構造化メモリデバイス:ナノスケール領域に適合した新規不揮発性メモリ構造とそれを実現するプロセス技術。(宮崎、福島、田部、浦岡、徳光)(3)三次元自己整合化構造デバイス:従来の微細加工限界を打破するための三次元自己構造化技術、およびそれを用いたデバイス開発と異種材料界面を用いた新規機能性付加技術。(堀、宮尾、白樫、田畑、竹田)(4)少数電子系の揺らぎとナノスケール計測:ナノスケール領域において発現する物理現象や、少数電子系の電子輸送と揺らぎ・雑音・シグナルインテグリティに関する理論的および実験的解明、ナノスケールの物性理解のための評価技術。(益、佐野、土屋、白石、木村)上記の研究調査を踏まえて、5回の研究打ち合わせ(8月、10月(2回)、11月、3月)および2回の研究会(9月、12月)を開催し、基礎的検討課題および技術的課題を抽出した。また、国際会議発表を通して海外への情報発信と世界の動向調査も推進した。これらの活動を通して、Siテクノロジーの発展にはポストスケーリング技術が必須であると結論づけられ、その展開すべき方向と課題が整理・明確化された。本研究の成果を集約して、平成18年度発足特定領域研究への申請を行った。
传统的基于“缩放定律”的硅超大规模集成电路对策受到材料固有的物理性能限制,并且失去了未来的前景。以硅技术为基础,我们将一系列克服传统材料物理性能限制的技术定位为“硅技术中的后缩放技术”,并进行了以下四项研究。 (括号内为各主题参与者)(1)纳米器件工艺与材料:同时实现低电压和超高速的超高迁移率Ge沟道技术和Ge/高k栅堆叠技术。 (Takagi, Zaimitsu, Sakuraba, Watanabe, Teramoto) (2) 纳米结构存储器件:一种适合纳米级区域的新型非易失性存储结构及其实现工艺技术。 (宫崎、福岛、田部、浦冈、德光)(3)三维自对准结构器件:克服传统微细加工限制的三维自结构技术、利用该技术的器件开发以及异种材料界面新功能附加技术使用(Hori、Miyao、Shirakashi、Tabata、Takeda)(4)少数电子系统的波动和纳米尺度测量:纳米尺度区域中发生的物理现象,以及少数电子系统中的电子传输和波动、噪声和信号完整性的理论信息. 以及用于了解纳米级物理性质的实验阐明和评估技术。 (增、佐野、土屋、白石、木村)根据上述研究,召开了五次研究会议(八月、十月(两次)、十一月、三月)和两次研究会(九月、十二月),并确定了基本问题。和技术问题。我们还通过在国际会议上发表演讲,推动海外信息传播和世界趋势研究。通过这些活动,得出了后微缩技术对于硅技术发展至关重要的结论,并组织和明确了需要解决的方向和问题。我们总结了这项研究的成果,并申请了2006年启动的特定领域研究。

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Circuit Performance Prediction Considering Core Utilization with Interconnect Length Distribution Model
考虑核心利用率和互连长度分布模型的电路性能预测
Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots and Their Application to Floating Gate Memories
硅基量子点电子带电状态的表征及其在浮栅存储器中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S.Miyazaki;M.Ikeda;K.Makihara
  • 通讯作者:
    K.Makihara
Analysis of Microstructures in SiGe Buffer Layers on sSilicon-on-Insulator Substrates
绝缘体上硅衬底上 SiGe 缓冲层的微观结构分析
High-Rate Growth of Films of Dense, Aligned Double-Walled Carbon Nanotubes Using Microwave Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
使用微波等离子体增强化学气相沉积高速生长致密、对齐的双壁碳纳米管薄膜
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

財満 鎭明其他文献

固溶限を超えるSn組成を有するGe1-xSnx層中におけるSn原子の熱安定性
Sn成分超过固溶度极限的Ge1-xSnx层中Sn原子的热稳定性
Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性
Al2O3/SiC MOS结构中导带边缘附近的电特性
絶縁基板上におけるIV族半導体薄膜の結晶方位制御技術:二次元物質への展開
绝缘基板上IV族半导体薄膜晶体取向控制技术:在二维材料中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    黒澤 昌志;大田 晃生;洗平 昌晃;財満 鎭明
  • 通讯作者:
    財満 鎭明
Ultrathin Si or Ge Films on Ag Formed by Metal-Induced Layer Exchange Method
金属诱导层交换法在银上形成超薄硅或锗薄膜
  • DOI:
    10.1380/jsssj.37.374
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    黒澤 昌志;大田 晃生;洗平 昌晃;財満 鎭明
  • 通讯作者:
    財満 鎭明
Al2O3/Ge に対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果
氧热处理对Al2O3/Ge电学性能和化学键态的影响

財満 鎭明的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('財満 鎭明', 18)}}的其他基金

機能融合デバイス構築に向けたSn系Ⅳ族半導体薄膜の材料設計
用于构建功能集成器件的锡基 IV 族半导体薄膜的材料设计
  • 批准号:
    26246024
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.11万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
シリコン系エンジニアリングサブストレート実現のための材料・物性・構造制御技術
实现硅基工程衬底的材料、物理性能及结构控制技术
  • 批准号:
    21246009
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2.11万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
異種材料界面制御による超低抵抗コンタクトの開発と半導体/金属界面の原子直視研究
通过控制不同材料界面开发超低电阻接触以及半导体/金属界面的直接原子观察研究
  • 批准号:
    13025224
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 2.11万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ゲート酸化薄膜の低温形成に関する研究
栅氧化薄膜低温形成研究
  • 批准号:
    61750274
  • 财政年份:
    1986
  • 资助金额:
    $ 2.11万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
シリコンの低温エピタキシャル成長に関する基礎的研究
硅低温外延生长基础研究
  • 批准号:
    60750271
  • 财政年份:
    1985
  • 资助金额:
    $ 2.11万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

Noncontact Temperature Measurement During Rapid Thermal Annealing and Investigation on Impurity Activation
快速热退火过程中的非接触式温度测量和杂质激活研究
  • 批准号:
    19360187
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 2.11万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了