シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー

硅纳米电子学新进展——后缩放技术

• 批准号: 17636001
• 负责人: 財満 鎭明
• 金额: $ 2.11万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2005 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17636001/
• 关键词: シリコン; 超々大規模集積回路; スケーリング則; MOSFET; ゲルマニウム; ナノ構造化メモリ; 三次元構造デバイス; シグナルインテグリティ

Si超々大規模集積回路に対する従来の「スケーリング則」による対処療法的方策は、材料固有の物性限界に阻まれ、将来展望を見失っている。我々はSiテクノロジーを基盤としながら、従来材料の物性限界を打破するための一連の技術を『シリコンテクノロジーにおけるポストスケーリング技術』と位置づけ、以下の4項目について調査・研究を行った。(各テーマ分担者を括弧内に示す。)(1)ナノスケールデバイスプロセス・マテリアル:低電圧化・超高速化を同時に達成する超高移動度Geチャネル技術とGe/High-kゲートスタック技術。(高木、財満、櫻庭、渡部、寺本)(2)ナノ構造化メモリデバイス:ナノスケール領域に適合した新規不揮発性メモリ構造とそれを実現するプロセス技術。(宮崎、福島、田部、浦岡、徳光)(3)三次元自己整合化構造デバイス:従来の微細加工限界を打破するための三次元自己構造化技術、およびそれを用いたデバイス開発と異種材料界面を用いた新規機能性付加技術。(堀、宮尾、白樫、田畑、竹田)(4)少数電子系の揺らぎとナノスケール計測:ナノスケール領域において発現する物理現象や、少数電子系の電子輸送と揺らぎ・雑音・シグナルインテグリティに関する理論的および実験的解明、ナノスケールの物性理解のための評価技術。(益、佐野、土屋、白石、木村)上記の研究調査を踏まえて、5回の研究打ち合わせ(8月、10月(2回)、11月、3月)および2回の研究会(9月、12月)を開催し、基礎的検討課題および技術的課題を抽出した。また、国際会議発表を通して海外への情報発信と世界の動向調査も推進した。これらの活動を通して、Siテクノロジーの発展にはポストスケーリング技術が必須であると結論づけられ、その展開すべき方向と課題が整理・明確化された。本研究の成果を集約して、平成18年度発足特定領域研究への申請を行った。

超大SI综合电路的常规“缩放规则”受到特定于物质的物理特性的阻碍，并且看不见未来的前景。基于SI技术，我们定位了一系列技术，以将常规材料的物理特性作为“硅技术的后标准技术”，并对以下四项进行了研究。 （每个主题部门都在括号中显示。）（1）纳米级设备工艺材料：超高移动性GE通道技术和GE/High-K Gate Stack Technology，同时实现低压和超速性能。 （Takagi，Zaimitsu，Sakuraba，Watanabe，Teramoto）（2）纳米结构的内存设备：一种新颖的非挥发记忆结构，适用于纳米级区域以及一种实现它的过程技术。 （Miyazaki，Fukushima，Tabe，Uraoka，Tokumitsu）（3）三维自我对齐结构设备：三维自我结构技术，以使用不同的材料界面使用这些和新颖的功能添加技术来分解常规的微型制作限制，并使用这些和新颖的功能性添加技术开发设备。 （Hori，Miyao，Shirakashi，Tabata，Takeda）（4）少数电子系统的波动和纳米级测量：在纳米级区域中发生的物理现象的理论和实验实现，电子传输和噪声和信号的噪声和信号的物质系统和评估技术的噪声和信号完整性。 （Masu，Sano，Tsuchiya，Shiraishi，Kimura）基于上述研究调查，五次研究会议（8月，10月（两次），11月，3月，3月）和两次研究会议（9月和12月）（9月和12月）以确定基本和技术问题。此外，通过宣布国际会议，该公司还促进了国外信息传播和全球趋势的调查。通过这些活动，可以得出结论，后缩放技术对于SI技术的开发至关重要，并且已经组织和澄清了要开发的方向和挑战。收集了这项研究的结果，并向2006年建立的特定领域进行了研究。

项目成果

Self-organized nanostripe arrays on ZnO (10-10) surfaces formed during laser molecular-beam-epitaxy growth

• DOI: 10.1063/1.2081133
• 发表时间: 2005-09
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: H. Matsui;H. Tabata

Sub-band structure engineering for advanced CMOS channels

• DOI: 10.1016/j.sse.2004.08.020
• 发表时间: 2005-05
• 期刊: Solid-state Electronics
• 影响因子: 1.7
• 作者: S. Takagi;T. Mizuno;T. Tezuka;N. Sugiyama;S. Nakaharai;T. Numata;J. Koga;K. Uchida

Circuit Performance Prediction Considering Core Utilization with Interconnect Length Distribution Model

考虑核心利用率和互连长度分布模型的电路性能预测

• 发表时间: 2005
• 期刊: IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences E88-A(12)
• 作者: H. Nakashima;J. Inoue;K. Okada;and K. Masu
• 通讯作者: and K. Masu

Analysis of Microstructures in SiGe Buffer Layers on sSilicon-on-Insulator Substrates

绝缘体上硅衬底上 SiGe 缓冲层的微观结构分析

• 发表时间: 2005
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 44(10)
• 作者: N.Taoka;A.Sakai;S.Mochizuki;O.Nakatsuka;M.Ogawa;S.Zaima;T.Tezuka;N.Sugiyama;S.Takagi
• 通讯作者: S.Takagi

High-Rate Growth of Films of Dense, Aligned Double-Walled Carbon Nanotubes Using Microwave Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

使用微波等离子体增强化学气相沉积高速生长致密、对齐的双壁碳纳米管薄膜

• 发表时间: 2005
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 44(22)
• 作者: M.Hiramatsu;H.Nagao;M.Taniguchi;H.Amano;Y.Ando.M.Hori
• 通讯作者: Y.Ando.M.Hori