Fabrication of an ultra-wide-band-gap semiconductor having a 7-eV band gap

具有7eV带隙的超宽带隙半导体的制造

基本信息

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麻省理工学院 Palacios 先生（美国）

氧化镓异质结界面载流子限制的观察

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takayoshi Oshima;Yuji Kato;Naoto Kawano; Akito Kuramata;Shigenobu Yamakoshi; Shizuo Fujita; Toshiyuki Oishi;and Makoto Kasu;Takayoshi Oshima;橋口明広，森林朋也，大島孝仁，大石敏之，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田修，嘉数誠;森林朋也，橋口明広，大島孝仁，花田賢志，大石敏之，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田修，嘉数誠;加藤勇次，大島孝仁，織田真也，人羅俊実，嘉数誠;加藤勇次，大島孝仁，河野直士，倉又朗人，山腰茂伸，藤田静雄，大石敏之，嘉数誠;大島孝仁，加藤勇次，河野直士，倉又朗人，山腰茂伸，藤田静雄，大石敏之，嘉数誠
通讯作者：
大島孝仁，加藤勇次，河野直士，倉又朗人，山腰茂伸，藤田静雄，大石敏之，嘉数誠

β-Ga2O3肖特基势垒二极管漏电流与晶体缺陷的关系

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
深見成;河野直士;荒木幸二;大島孝仁;大石敏之;大島孝仁，橋川誠，富澤三世，佐々木公平，倉又朗人，大石敏之，嘉数誠;橋口明広，森林朋也，花田賢志，大島孝仁，大石敏之，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田修，嘉数誠
通讯作者：
橋口明広，森林朋也，花田賢志，大島孝仁，大石敏之，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田修，嘉数誠

β-Ga2O3 的 ITO 欧姆接触

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takayoshi Oshima;Ryo Wakabayashi;Mai Hattori;Akihiro Hashiguchi;Naoto Kawano;Kohei Sasaki;Takekazu Masui;Akito Kuramata;Shigenobu Yamakoshi;Kohei Yoshimatsu;Akira Ohtomo;Toshiyuki Oishi;and Makoto Kasu
通讯作者：
and Makoto Kasu

使用氧化镓二极管的整流天线电路操作

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
舟木浩祐;石松裕真;桝谷聡士;大島孝仁;嘉数誠;大石敏之;石松裕真舟木浩祐桝谷聡士宮崎恭輔大島孝仁嘉数誠大石敏之;舟木浩祐，石松裕真，桝谷聡士，宮崎恭輔，大島孝仁，嘉数誠，大石敏之;大石敏之，河野直士，嘉数誠;大石敏之，河野直士，嘉数誠;河野直士，大島孝仁，嘉数誠，大石敏之
通讯作者：
河野直士，大島孝仁，嘉数誠，大石敏之

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二维钙钛矿氮氧化物 K2LaTa2O6N 在水溶液中具有 H+/K+可交换性，可形成稳定的光催化剂用于可见光析氢

DOI：
10.1002/ange.202002534
发表时间：
2020
期刊：
Angewandte Chemie
影响因子：
0
作者：
Oshima Takayoshi;Ichibha Tom;Oqmhula Kenji;Hibino Keisuke;Mogi Hiroto;Yamashita Shunsuke;Fujii Kotaro;Miseki Yugo;Hongo Kenta;Lu Daling;Maezono Ryo;Sayama Kazuhiro;Yashima Masatomo;Kimoto Koji;Kato Hideki;Kakihana Masato;Kageyama Hiroshi;Maeda Kazuhiko
通讯作者：
Maeda Kazuhiko