Development of the optical wave-guide of nitride based laser diodes by using InN/GaN short-period superlattices

利用InN/GaN短周期超晶格开发氮化物基激光二极管光波导

• 批准号: 17K06360
• 负责人: Imai Daichi
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Meijo University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K06360/
• 关键词: 窒化物半導体; 半導体レーザー; 1分子層InN; 短周期超格子; 秩序混晶; InGaN混晶; 分光エリプソメトリー; １分子層InN

项目成果

X線マイクロビーム回折を用いた単一Ga1-xInxN/GaN量子殻の局所構造評価

使用 X 射线微束衍射评估单个 Ga1-xInxN/GaN 量子壳的局部结构

• 发表时间: 2019
• 作者: T. Kondo;T. Ichikawa;H. Akasaka;K. Uno;R. Kobayashi;Y. Imai;K. Sumitani;S. Kimura;N. Goto;D. Imai;S. Kamiyama and T. Miyajima;川裕介，荒川亮太，神林大介，成塚重弥，今井大地，宮嶋孝夫;市川貴登，近藤剣，安田信広，隅谷和嗣，今井康彦，中尾知代，荒井重勇，後藤七美，上山智，今井大地，宮嶋孝夫
• 通讯作者: 市川貴登，近藤剣，安田信広，隅谷和嗣，今井康彦，中尾知代，荒井重勇，後藤七美，上山智，今井大地，宮嶋孝夫

Optical Characterization of Ordered InGaN Ternary Alloys Based on (InN)1/(GaN)n Short-period Superlattices Grown by Dynamic Atomic Layer Epitaxy (D-ALEp)

基于动态原子层外延 (D-ALEp) 生长的 (InN)1/(GaN)n 短周期超晶格的有序 InGaN 三元合金的光学表征

• 发表时间: 2018
• 作者: Daichi Imai;Kazuhide Kusakabe;and Akihiko Yoshikawa
• 通讯作者: and Akihiko Yoshikawa

放射光を使ったGaN系混晶半導体とGaN系量子殻の局所構造評価

使用同步加速器辐射评估 GaN 基混合晶体半导体和 GaN 基量子壳的局部结构

• 发表时间: 2019
• 作者: 宮嶋孝夫;山田祐輔;市川貴登;今井大地;鮫島俊之;宮嶋孝夫，清木良麻，近藤剣，市川貴登，伊奈稔哲，新田清文，宇留賀朋哉，鶴田一樹，隅谷和嗣，今井康彦，木村滋，安田伸広，三好実人，今井大地，竹内哲也，上山智
• 通讯作者: 宮嶋孝夫，清木良麻，近藤剣，市川貴登，伊奈稔哲，新田清文，宇留賀朋哉，鶴田一樹，隅谷和嗣，今井康彦，木村滋，安田伸広，三好実人，今井大地，竹内哲也，上山智

Al1-xInxN混晶におけるバンド端近傍のポテンシャル揺らぎと光学定数の解析

Al1-xInxN 混晶中带边附近的电势涨落和光学常数分析

• 发表时间: 2019
• 作者: 今井 大地;山路 知明;三好 実人;竹内 哲也;宮嶋 孝夫
• 通讯作者: 宮嶋 孝夫

X線ナノビームによる1-100反射を用いたGaNナノワイヤ側壁上m面Ga1-xInxN/GaN量子井戸の構造評価

使用 X 射线纳米束 1-100 次反射对 GaN 纳米线侧壁上的 m 面 Ga1-xInxN/GaN 量子阱进行结构评估

• 发表时间: 2018
• 作者: 近藤 剣 ;清木 良麻 ;今井 康彦;隅谷 和嗣;木村 滋2;高木 健太 ;後藤 七美 ;市川 貴登 ;今井 大地 ;上山 智 ;宮嶋 孝夫
• 通讯作者: 宮嶋 孝夫