Control of Interfacial Strain between Wide-Bandgap Semiconductor and Electrode to Improve Interfacial Electrical Conductance

控制宽带隙半导体与电极之间的界面应变以提高界面电导

基本信息

批准号：
24656444
负责人：
MAEDA Masakatsu
金额：
$ 2.41万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2014-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

The present study aims to clarify the effect of strain induced in the GaN substrate on the electrical conductance of the contact interface and to demonstrate a technology to improve the conductance by controlling the strain in the GaN substrate. Compressive strain is induced in the GaN substrate in the vicinity of the contact electrode by formation of the Ti-based contact electrode. The interface with a larger compressive strain shows a lower conductance. Deposition of the same film as the electrode on the backside of the GaN substrate compensates the strain and improves the conductance.

本研究旨在阐明GaN衬底中感应的应变对接触界面电导的影响，并展示通过控制GaN衬底中的应变来提高电导的技术。通过形成Ti基接触电极，在接触电极附近的GaN衬底中引起压缩应变。具有较大压缩应变的界面表现出较低的电导。在 GaN 衬底背面沉积与电极相同的薄膜可以补偿应变并提高电导。

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Interfacial nanostructure and electrical properties of Ti3SiC2 contact on p-type gallium nitride

p型氮化镓上Ti3SiC2接触的界面纳米结构和电学性能

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
Mater. Trans
影响因子：
0
作者：
Aiman b. M. H.;M. Maeda and Y. Takahashi
通讯作者：
M. Maeda and Y. Takahashi

Control of interfacial properties in power electronic devices

电力电子器件界面特性的控制

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
Int. J. Nanotechnol
影响因子：
0
作者：
K. Kimura;M. Maeda and Y. Takahashi;M. Maeda and Y. Takahashi
通讯作者：
M. Maeda and Y. Takahashi

Electrical properties of the interface between p-GaN and contact materials

p-GaN 与接触材料之间界面的电学特性

DOI：
发表时间：
期刊：
IOP Conf. Ser. : Mater. Sci. Eng
影响因子：
0
作者：
Aiman b. M. H.;M. Maeda and Y. Takahashi
通讯作者：
M. Maeda and Y. Takahashi

Nucleation and growth of Ti3SiC2 on SiC by interfacial reaction

DOI：
10.1088/1757-899x/61/1/012032
发表时间：
2014-01-01
期刊：
INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON INTERFACIAL JOINING AND SURFACE TECHNOLOGY (IJST2013)
影响因子：
0
作者：
Ideguchi, Koji;Maeda, Masakatsu;Takahashi, Yasuo
通讯作者：
Takahashi, Yasuo

Nickeltitaniu based contact for n-type silicon carbide to combine high ohmic conductivity and mechanical properties

用于 n 型碳化硅的镍钛基触点，结合了高欧姆电导率和机械性能