Control of interfacial nanostructure between wide-gap semiconductors and their electrodes
宽禁带半导体与其电极之间界面纳米结构的控制
基本信息
- 批准号：26420702
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effect of Ti3SiC2 formation on p-type GaN by vacuum annealing on the contact properties
真空退火在 p 型 GaN 上形成 Ti3SiC2 对接触性能的影响
- DOI：10.1088/1757-899x/61/1/012034
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Aiman b. M. H.;M. Maeda and Y. Takahashi
- 通讯作者：M. Maeda and Y. Takahashi
Ni nano level thin film formation on p-GaN and improvement of electrical properties by hydrogen release enhancement
p-GaN 上 Ni 纳米级薄膜的形成以及通过增强氢释放来改善电性能
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Aiman b. M. H.;K. Tsuchida;M. Maeda and Y. Takahashi
- 通讯作者：M. Maeda and Y. Takahashi
Effect of crystal orientation on ohmic contact formation for n-type gallium nitride
晶体取向对n型氮化镓欧姆接触形成的影响
- DOI：10.1088/1757-899x/61/1/012033
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Kimura;Aiman b. M. H.;M. Maeda and Y. Takahashi
- 通讯作者：M. Maeda and Y. Takahashi
Nucleation and growth of Ti3SiC2 on SiC by interfacial reaction
- DOI：10.1088/1757-899x/61/1/012032
- 发表时间：2014-01-01
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ideguchi, Koji;Maeda, Masakatsu;Takahashi, Yasuo
- 通讯作者：Takahashi, Yasuo
Nickel-titanium-based contact for n-type silicon carbide to combine high ohmic conductivity and mechanical properties
用于 n 型碳化硅的镍钛基触点，结合了高欧姆电导率和机械性能
- DOI：10.1088/1757-899x/61/1/012031
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Maeda;M. Sano and Y. Takahashi
- 通讯作者：M. Sano and Y. Takahashi
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