刷新
Improvement of Interfacial Functions in Eco-devices Based on Control of Interfacial Nanostructure
基于界面纳米结构控制的生态器件界面功能改善
基本信息
- 批准号：21560746
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The present study aims to clarify the relation between functions and structures of three dissimilar materials interfaces. The interfacial structure of SiC/ Ti/ Al changes the phase adjacent to SiC from Ti to TiAl_3 and finally to Ti_3SiC_2 by annealing. Electrical properties also change corresponding to the change in the phase adjacent to SiC. Ohmic conduction is achieved by forming Ti_3SiC_2 adjacent to SiC. Development of ohmic properties of GaN/ Ti interface is dominated by nitrogen vacancies in GaN sub-interface produced by the interfacial reaction. Devitrification of Zr_<55> Cu_<30> Ni_5Al_<10> in the vicinity of the interface with Al starts at lower temperature than that of Zr_<55> Cu_<30> Ni_5Al_<10> bulk.
本研究旨在阐明三个不同材料界面的功能与结构之间的关系。 SIC/ TI/ AL的界面结构通过退火将与SIC相邻的相变从Ti更改为Ti_3SIC_2。电性能还会改变与SIC相邻的相变的变化。通过形成与SIC相邻的TI_3SIC_2实现欧姆传导。 GAN/ TI界面的欧姆特性的发展由界面反应产生的GAN子接口中的氮空位主导。 Zr_ <55> cu_ <30> ni_5al_ <10>在界面附近的Al温度低于Zr_ <55> cu_ <30> ni_5al_ <10> bulk的温度。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electrical properties and structure of contact interface between Ti3SiC2 and p-type GaN
- DOI：10.1088/1742-6596/379/1/012021
- 发表时间：2012-08
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. M. Halil;M. Maeda;Yasuo Takahashi
- 通讯作者：A. M. Halil;M. Maeda;Yasuo Takahashi
Effect of interfacial reaction on electrical conduction across the interface between n-type gallium nitride and contact materials
界面反应对n型氮化镓与接触材料界面导电的影响
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M.Maeda;T.Yamasaki;Y.Takahashi
- 通讯作者：Y.Takahashi
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
MAEDA Masakatsu其他文献
MAEDA Masakatsu的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('MAEDA Masakatsu', 18)}}的其他基金
Multipass friction stir welding of the same or dissimilar thick aluminum alloy plates
同种或异种铝合金厚板的多道搅拌摩擦焊
- 批准号：
17K06824 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Control of interfacial nanostructure between wide-gap semiconductors and their electrodes
宽禁带半导体与其电极之间界面纳米结构的控制
- 批准号：
26420702 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Control of Interfacial Strain between Wide-Bandgap Semiconductor and Electrode to Improve Interfacial Electrical Conductance
控制宽带隙半导体与电极之间的界面应变以提高界面电导
- 批准号：
24656444 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
Atomic-scale control of interfaces between different materials using mechanical interaction of high-frequency currents
利用高频电流的机械相互作用对不同材料之间的界面进行原子尺度控制
- 批准号：
23H01301 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Nanostructure creation of Fe2VAl based alloy by introduction of nitride interface for thermoelectric application
通过引入氮化物界面创建 Fe2VAl 基合金的纳米结构用于热电应用
- 批准号：
20K05100 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Experimental and numerical analyses for elucidation of formation mechanism of magnetic pulse welded dissimilar metal joint interface and establishment of optimum welding conditions
阐明磁脉冲焊接异种金属接头界面形成机制和建立最佳焊接条件的实验和数值分析
- 批准号：
19K05028 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Advanced mold condition control to elucidate the mechanism of injection molded direct joining
先进的模具条件控制可阐明注塑直接连接的机理
- 批准号：
19K14859 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Creation of nano spatial structure on metal surface and development of direct bonding technology for dissimilar materials
金属表面纳米空间结构的构建及异种材料直接键合技术的开发
- 批准号：
18H01342 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)