Controllable growth of semiconductor quantum dots for future nanoelectronic and optoelectronic devices

用于未来纳米电子和光电器件的半导体量子点的可控生长

基本信息

  • 批准号:
    DP0663304
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 18万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    澳大利亚
  • 项目类别:
    Discovery Projects
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    澳大利亚
  • 起止时间:
    2006-01-01 至 2009-05-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This project addresses specific National Research Priorities in the areas of breakthrough science, frontier technology and advanced materials. Outcomes will significantly advance the understanding of the self-assembly of semiconductor nanostructures. This project will provide informative guidelines for designing, developing and manufacturing semiconductor nanostructures for future nanoelectronic and optoelectronic devices, which is strategically important to Australia's emerging electronic industry. This project will also enhance the international reputation and impact of Australian research in the internationally focused field of nanoscience and nanotechnology.
该项目涉及突破性科学、前沿技术和先进材料领域的具体国家研究优先事项。结果将显着促进对半导体纳米结构自组装的理解。该项目将为未来纳米电子和光电器件的半导体纳米结构的设计、开发和制造提供信息指南,这对澳大利亚新兴电子工业具有重要的战略意义。该项目还将提高澳大利亚研究在国际关注的纳米科学和纳米技术领域的国际声誉和影响力。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Em/Prof Jin Zou其他文献

Em/Prof Jin Zou的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Em/Prof Jin Zou', 18)}}的其他基金

Understanding the properties of layered nanostructures using in-situ TEM
使用原位 TEM 了解层状纳米结构的特性
  • 批准号:
    DP160100898
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 18万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
Towards High-quality Hetero-epitaxial III-V Semiconductor Nanowires
迈向高质量异质外延 III-V 族半导体纳米线
  • 批准号:
    DP150100701
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 18万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
National in-situ transmission electron microscope facilities
国家原位透射电子显微镜设施
  • 批准号:
    LE120100036
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 18万
  • 项目类别:
    Linkage Infrastructure, Equipment and Facilities
An integrated system for measuring thermoelectric properties of advanced materials
用于测量先进材料热电性能的集成系统
  • 批准号:
    LE110100017
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 18万
  • 项目类别:
    Linkage Infrastructure, Equipment and Facilities
Understanding the role of catalysts in the epitaxial growth of multinary III-V semiconductor nanowires and nanowire heterostructures
了解催化剂在多元 III-V 半导体纳米线和纳米线异质结构外延生长中的作用
  • 批准号:
    DP110100565
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 18万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
Understanding the role of catalysts in the growth of epitaxial semiconductor nanowires and their hierarchical heterostructures
了解催化剂在外延半导体纳米线及其分层异质结构生长中的作用
  • 批准号:
    FT0990356
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 18万
  • 项目类别:
    ARC Future Fellowships
Epitaxial growth of Zn-VI/III-N nanowire-based structures for future device applications
用于未来器件应用的 Zn-VI/III-N 纳米线结构的外延生长
  • 批准号:
    DP0985084
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 18万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
Structure of Epitaxial Semiconductor Quantum Dots
外延半导体量子点的结构
  • 批准号:
    LX0455717
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 18万
  • 项目类别:
    Linkage - International

相似国自然基金

有机半导体单晶可控图案化生长及其场效应晶体管电路的研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    59 万元
  • 项目类别:
单一直径/带隙半导体性单壁碳纳米管的可控生长
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2020
  • 资助金额:
    58 万元
  • 项目类别:
    面上项目
化学键锚定,非共价键诱导的有机半导体微纳结构界面可控自组装生长
  • 批准号:
    21962005
  • 批准年份:
    2019
  • 资助金额:
    40 万元
  • 项目类别:
    地区科学基金项目
非层状/层状二维半导体异质结的可控制备、生长机制及光电器件研究
  • 批准号:
    51902272
  • 批准年份:
    2019
  • 资助金额:
    25.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
硅基深紫外AlGaN量子点的MBE可控生长及超材料光学特性的研究
  • 批准号:
    61804163
  • 批准年份:
    2018
  • 资助金额:
    26.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目

相似海外基金

Semiconductor Biomaterials to Speed Bone Healing: A Bioengineering-Driven Approach
半导体生物材料加速骨骼愈合:生物工程驱动的方法
  • 批准号:
    10587508
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 18万
  • 项目类别:
Growth and Properties of Novel Epitaxial Semiconductor Films
新型外延半导体薄膜的生长和性能
  • 批准号:
    RGPIN-2019-06839
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 18万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Growth, Fabrication, and Characterization of Novel Semiconductor Nanostructures
新型半导体纳米结构的生长、制造和表征
  • 批准号:
    RGPIN-2018-06480
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 18万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Growth, Fabrication, and Characterization of Novel Semiconductor Nanostructures
新型半导体纳米结构的生长、制造和表征
  • 批准号:
    RGPIN-2018-06480
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 18万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Growth and Properties of Novel Epitaxial Semiconductor Films
新型外延半导体薄膜的生长和性能
  • 批准号:
    RGPIN-2019-06839
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 18万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了