Investigation of process technology for nitride semiconductor based integrated circuits for harsh environment electronics

用于恶劣环境电子产品的基于氮化物半导体的集成电路工艺技术研究

基本信息

  • 批准号:
    20K04579
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタの集積化に向けた 素子分離技術の検討
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管集成元件隔离技术研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    赤松龍弥;秋良芳樹;岡田浩
  • 通讯作者:
    岡田浩
基底状態原子支援化学気相堆積 法によるシリコン酸化膜の形成及び評価(2)
基态原子辅助化学气相沉积氧化硅薄膜的形成与评价(2)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山形 翔; 尾内 亮太; 鹿田 颯吾; 古川 雅一; 若原 昭浩; 岡田 浩
  • 通讯作者:
    岡田 浩
基底状態原子支援化学気相堆積 法によるシリコン酸化膜の形成及び評価(2)
基态原子辅助化学气相沉积法氧化硅薄膜的形成及评价(2)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山形 翔; 尾内 亮太; 鹿田 颯吾; 古川 雅一; 若原 昭浩; 岡田 浩
  • 通讯作者:
    岡田 浩
AlGaN/GaNヘテ ロ構造の TiAl 系オーミック電極の基礎的検討
AlGaN/GaN异质结构TiAl基欧姆电极的基础研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吹中茉生;秋良芳樹;岡田浩
  • 通讯作者:
    岡田浩
AlGaN/GaNヘテ ロ構造の TiAl 系オーミック電極の基礎的検討
AlGaN/GaN异质结构TiAl基欧姆电极的基础研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
    吹中茉生;秋良芳樹;岡田浩
  • 通讯作者:
    岡田浩
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    2001
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    $ 2.75万
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    09671627
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    1997
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    $ 2.75万
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  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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    20H00243
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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