Research on Silicon-Carbide IoT Platform for Harsh Environment Applications

适合恶劣环境应用的碳化硅物联网平台研究

基本信息

批准号：
20H00252
负责人：
Kuroki Shin-Ichiro
金额：
$ 29.37万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（46）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Present status for the development of aluminum-based heat dissipative materials

铝基散热材料的发展现状

DOI：
10.2464/jilm.66.543
发表时间：
2024-09-14
期刊：
Journal of Japan Institute of Light Metals
影响因子：
0
作者：
K. Mizuuchi;Motohiro Tanaka;Y. Agari
通讯作者：
Y. Agari

Bipolar Characteristics of Vanadium-doped 4H-SiC Semi-Insulating Layer for Well-less CMOS Circuits

无阱CMOS电路掺钒4H-SiC半绝缘层的双极特性

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Toya Kai; Kazutoshi Kojima; Takeshi Ohshima; Yasunori Tanaka;Shin
通讯作者：
Shin

耐放射線性炭化ケイ素半導体デバイスの開発

抗辐射碳化硅半导体器件的开发

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
大島武; 武山昭憲;牧野高紘;黒木伸一郎;田中保宣
通讯作者：
田中保宣

エピタキシャル成長による4H-SiC CMOS Well形成

通过外延生长形成 4H-SiC CMOS 阱

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
甲斐　陶弥 ; 児島一聡; 志摩　拓真; 大島武; 田中保宣; 黒木　伸一郎
通讯作者：
黒木　伸一郎

Amplifier Based on 4H-SiC MOSFET Operation at 500 °C for Harsh Environment Applications

基于 4H-SiC MOSFET 的放大器可在 500 °C 下运行，适用于恶劣环境应用

DOI：
10.1109/ted.2022.3184663
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
3.1
作者：
Vuong Van Cuong; Tatsuya Meguro; Seiji Ishikawa; Tomonori Maeda; Hiroshi Sezaki; Shin
通讯作者：
Shin

DOI：
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Kuroki Shin-Ichiro其他文献

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Research on Silicon Carbide Harsh Environment Electronics

碳化硅恶劣环境电子研究

批准号：
17H03253
财政年份：
2017
资助金额：
$ 29.37万
项目类别：
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资助金额：
$ 29.37万
项目类别：
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$ 29.37万
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21H01117
财政年份：
2021
资助金额：
$ 29.37万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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批准号：
20H02640
财政年份：
2020
资助金额：
$ 29.37万
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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批准号：
19K22043
财政年份：
2019
资助金额：
$ 29.37万
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)