Research on Radiation-Hardened CMOS Integrated Circuits using Wide Bandgap SiC Semiconductor(Fostering Joint International Research)
使用宽带隙SiC半导体的抗辐射CMOS集成电路的研究（促进国际联合研究）
基本信息
- 批准号：15KK0240
- 负责人：
- 金额：$ 9.07万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016 至 2017
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
4H-SiC Pseudo-CMOS Logic Inverters for Harsh Environment Electronics
适用于恶劣环境电子产品的 4H-SiC 伪 CMOS 逻辑逆变器
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S;C.
- 通讯作者：C.
Low resistance Ti-Si-C ohmic contacts for 4H-SiC power devices using Laser annealing
使用激光退火技术用于 4H-SiC 功率器件的低电阻 Ti-Si-C 欧姆接触
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Milantha De Silva; Teruhisa Kawasaki; Takamaro Kikkawa;Shin
- 通讯作者：Shin
4H-SiC MOSFETs and Logic Inverters for Radiation-Hardened Electronics
用于抗辐射电子产品的 4H-SiC MOSFET 和逻辑逆变器
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shin;Carl
- 通讯作者：Carl
International Workshop on Nanodevice Technologies 2017 (IWNT2017)
2017年纳米器件技术国际研讨会(IWNT2017)
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
- 通讯作者：
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