Rare-earth doped gallium nitride semiconductor light emitting device and their application
稀土掺杂氮化镓半导体发光器件及其应用
基本信息
- 批准号：22560328
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Novel three-terminal light emitting device based-on rare-earth (Eu) implanted AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structure by ion-implantation process was investigated. In luminescence spectra by current injection of the fabricated device, clear peaks suggesting luminescence due to the transition of innershell in rare-earth were confirmed. For system application of this light emitting device, their fabrication process and optical confinement were investigated. Potential for radiation hard light emitting device because of unipolar luminescence device was also investigated.
研究了基于离子注入工艺的稀土（Eu）注入AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）结构的新型三端发光器件。在所制作的器件的电流注入的发光光谱中，确认了表明由于稀土内壳的转变而发光的清晰峰。对于该发光器件的系统应用，研究了其制造工艺和光学限制。还研究了由于单极发光器件而成为抗辐射发光器件的潜力。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effects of Proton Irradiation on the Magnetoelectric Properties of 2DEG AlGaN/GaN Micro-Hall Sensors
质子辐照对 2DEG AlGaN/GaN 微霍尔传感器磁电性能的影响
- DOI：10.1088/1742-6596/352/1/012010
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H.Okada; A.Abderrahmane; S.Koide; H.Takahashi; S.Sato; T.Ohshima; A.S;hu
- 通讯作者：hu
Eu selective doped light emitting transistor based-on AlGaN/GaN heterostructure
基于AlGaN/GaN异质结构的Eu选择性掺杂发光晶体管
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Kondo; T. Hata; H. Okada; A. Wakahara; S. Sato;T. Oshima
- 通讯作者：T. Oshima
Effects of Mg co-doping on Eu site in GaN by NH3-MBE
NH3-MBE Mg 共掺杂对 GaN 中 Eu 位点的影响
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hiroshi Okada; Takanobu Suwa; Yasufumi Takagi; Hiroto Sekiguchi;Akihiro Wakahara
- 通讯作者：Akihiro Wakahara
Effect of Nitrogen Source on Doping Properties of GaN : Eu Grown by MBE
氮源对 MBE 生长 GaN:Eu 掺杂性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T.Suwa; Y.Takagi; H.Sekiguchi; H.Okada; A.Wakahara
- 通讯作者：A.Wakahara
Effects of Mg co-doping on Eu site in GaN by NH3-MBE
NH3-MBE Mg 共掺杂对 GaN 中 Eu 位点的影响
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hiroshi Okada; Takanobu Suwa; Yasufumi Takagi; Hiroto Sekiguchi; Hiroshi Okada; Akihiro Wakahara
- 通讯作者：Akihiro Wakahara
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