Unterdrückung nichtstrahlender Rekombination in UV-emittierenden Quantenfilmen auf GaN/AlGaN-Basis

GaN/AlGaN 基紫外发射量子薄膜中非辐射复合的抑制

• 批准号: 31885403
• 负责人: Professor Dr. Andreas Hangleiter
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Angewandte Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/31885403?language=en
• 关键词: Unterdr; ckung; nichtstrahlender; Rekombination; UV

Während Quantenfilme auf der Basis von GaInN/GaN trotz der hohen Defektdichte in heteroepitaktischen Schichten für LED¿s eine hohe Quantenausbeute zeigen, sind In-freie Quantenfilme auf GaN/AlGaN-Basis bisher weit weniger hell. Mit Hilfe von spektroskopischer Nahfeldmikroskopie, zeitaufgelöster Spektroskopie, sowie Quantenausbeute-Messungen sollen die mikroskopischen optischen Eigenschaften und die Auswirkungen von Defekten auf die Rekombinationseigenschaften von UV-emittierenden GaN/AlGaN-Quantenfilmen untersucht werden. Besonders die mögliche Rolle von V-Defekten, die bei GaInN/GaN-Strukturen eine zentrale Rolle spielen, steht im Mittelpunkt des Interesses. Das daraus resultierende bessere Verständnis soll als Basis für die Optimierung der Strukturen dienen.

基于 GaInN/GaN 技术的量子薄膜在 LED 异质外延缺陷中的应用s eine hohe Quantenausbeute zeigen，sind In-free Quantenfilme auf GaN/AlGaN-Basis bisher weit weniger hell。 GaN/AlGaN-Quantenfilmen UV-emittierenden GaN/AlGaN-Quantenfilmen undersucht werden 的特征和防御Das daraus resultierende bessere Verständnis soll 也是结构优化优化的基础。