Spontaneous polarisation in (Al,Ga,In)N heterostructures

(Al,Ga,In)N 异质结构中的自发极化

• 批准号: 5306996
• 负责人: Professor Dr. Andreas Hangleiter
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Angewandte Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2002-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5306996?language=en
• 关键词: Spontaneous; polarisation; Al; Ga; heterostructures

Die Nitride der Gruppe III-Elemente Al, Ga und Indium sind als direkte Halbleiter mit Bandlücken im sichtbaren bis ultravioletten Spektralbereich als Basis für optoelektronische Bauelemente und Hochtemperatur-Elektronik interessant. Nach theoretischen Rechnungen werden starke piezoelektrische und spontane Polarisationseffekte erwartet. Ein starker Einfluß piezoelektrischer Felder auf die optischen Eigenschaften von Quantenfilmen sowie auf Feldeffekt-Transistoren ist experimentell erwiesen. Erste Experimente zeigen aufgrund der spontanen Polarisation einen Zusammenhang zwischen Oberflächenbelegung und elektrischem Feld im Volumen, nachgewiesen durch optische Eigenschaften eines Quantenfilms im Inneren. Durch kontrollierte Präparation der Oberfläche mittels Elektronenbestrahlung sowie im Ultrahochvakuum soll dieser Zusammenhang detailliert aufgeklärt und die spontane Polarisation quantitativ bestimmt werden.

III 元素组的氮化物 Al、Ga 和 Indium 是光电子器件和高温度电子学基础的直接光电子器件和紫外线光谱仪。和自发的极化效应。体积中的Oberflachenbelegung 和elektrischem Feld，nachgewiesen durch Eigenschaften eines Quantenfilms in 内部。偏振定量最佳方法。