SBIR Phase II:Next Generation Vertical Cavity Surface Emitting Lasers

SBIR 第二阶段:下一代垂直腔表面发射激光器

基本信息

  • 批准号:
    1353601
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    2014-04-15 至 2018-08-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This Small Business Innovation Research Phase II project proposes to fabricate and commercialize Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSELs) that are free from any wavelength limitations imposed by the choice of semiconductor substrate. These revolutionary VCSELs will operate in a single mode with high output power, narrow linewidth and a stable linear polarization for use in spectroscopy and communications. Using 2D photonic crystal structures and substrate-independent reflectors, it is possible to build efficient single mode VCSELs at any wavelength covering the near-infrared and approaching mid infrared (800nm to 2,500nm). High efficiency and high output power are achieved by very low electrical resistance and efficient heat sinking. The first prototype will have the ambitious goal of offering a preferred alternative to DFB lasers in long-haul fiber optic communications and near infrared spectroscopy.The broader impact/commercial potential of this project includes many societal, educational, scientific and commercial benefits. As a social benefit, the commercialization of this technology will enable faster and simpler air and water contamination measurements, and faster and lower-cost telecommunications. As an educational and scientific benefit, the next generation VCSEL development provides a robust and reliable method for fabricating 2D photonic crystals that are usable for optical signal processing and novel laser designs. Also, the resulting high-efficiency compact lasers with high mode quality can be used for pumping high power solid state lasers; and finally, the high speed versions of these advanced lasers can simplify data communication in fast computer systems used in scientific simulations. As a commercial impact, the additional functionalities of the next generation VCSELs will enable them to break out of their current niche datacom market into broader applications in communications and instrumentation. Their substrate independence will eventually make it possible to process them on silicon and other materials suitable for the final application. This will lead to a significant increase in demand for VCSELs due to the new markets that they will serve.
这个小型企业创新研究阶段II项目提议制造和商业化垂直腔表面发射激光器(VCSEL),这些垂直腔表面发射激光器(VCSELS)没有选择半导体基板所施加的任何波长限制。这些革命性的VCSEL将以高输出功率,窄线宽和稳定的线性极化用于光谱和通信的单个模式运行。使用2D光子晶体结构和底物无关的反射器,可以在覆盖近红外和接近MID红外线的任何波长下构建有效的单模式VCSEL(800nm至2,500nm)。高效率和高输出功率是通过非常低的电阻和有效的散热器来实现的。第一个原型将具有雄心勃勃的目标,即提供长途光纤通信和近红外光谱的DFB激光器的首选替代方案。该项目的更广泛的影响/商业潜力包括许多社会,教育,科学和商业福利。 作为社会利益,该技术的商业化将使空气和水污染测量更快,更简单,更快,更低的电信。作为一种教育和科学利益,下一代VCSEL开发为制造2D光子晶体提供了一种可靠的方法,可用于光学信号处理和新型激光设计。同样,最终的高效率紧凑型激光器可用于泵送高功率固态激光器。最后,这些高级激光器的高速版本可以简化科学模拟中使用的快速计算机系统中的数据通信。作为商业影响,下一代VCSELS的其他功能将使他们能够从当前的利基数据库市场中脱离通信和仪器中更广泛的应用。他们的底物独立性最终将使它们在硅和其他适合最终应用的材料上进行处理。这将导致对VCSELS的需求显着增加,这是由于它们将服务的新市场。

项目成果

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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
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  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
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    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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