CAREER: Understanding, Development and Applications of Nanoscale Memristor Devices
职业:纳米级忆阻器器件的理解、开发和应用
基本信息
- 批准号:0954621
- 负责人:
- 金额:$ 40万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Standard Grant
- 财政年份:2010
- 资助国家:美国
- 起止时间:2010-03-01 至 2015-02-28
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
The objective of this research is to develop unconventional, high-performance memory and logic systems based on nanoscale two-terminal resistive switches (memristors). The approach is to carry out a systematic material and device study that includes understanding the device operation from atomic-scale imaging and transport measurements; designing a new device structure to improve device reliability and performance; demonstrating memristor/CMOS integration; and discovering new device and circuit functionality. Intellectual Merit: Memristor is a concise term for two-terminal resistance switching devices with inherent memory. Recently proposed memristor/CMOS hybrid circuits can provide unmatched density and connectivity and offer a promising approach for electronics beyond transistor scaling. This research addresses critical fundamental and practical questions related to memristor research. It will enable the development of key nanoelectronic systems such as non-volatile universal memories with tera-bit density and sub 10 ns access time, and reconfigurable logic systems with function density two-orders of magnitude higher than conventional circuits. Knowledge and techniques developed here will further stimulate studies on new computing paradigms.Broader Impacts: Besides having an immediate impact on semiconductor research, this program aims to convey the excitement of nanotechnology to students and the public through a number of educational and outreach activities. Students from underrepresented groups will be recruited to work directly on the project. Research results will be incorporated into a new undergraduate course and disseminated to the general public through publications, technology transfer, websites and a textbook. High-school students in inner-city, high-need school districts will be engaged through a teaching module development, class visits and online exhibits.
这项研究的目的是开发基于纳米级两端电阻开关(MEMRISTORS)的非常规,高性能记忆和逻辑系统。该方法是进行系统的材料和设备研究,其中包括了解原子尺度成像和运输测量的设备操作;设计一种新的设备结构,以提高设备的可靠性和性能;展示Memristor/CMOS集成;并发现新的设备和电路功能。智力优点:Memristor是具有固有内存的两端阻力切换设备的简洁术语。最近提出的MEMRISTOR/CMOS混合电路可以提供无与伦比的密度和连通性,并为晶体管缩放以外的电子设备提供了有希望的方法。这项研究解决了与Memristor研究有关的关键基本和实用问题。它将能够开发关键的纳米电子系统,例如具有TERA-BIT密度和SUB 10 NS访问时间的非挥发性通用记忆,以及可重新配置的逻辑系统,功能密度密度高两个幅度的幅度高于常规电路。这里开发的知识和技术将进一步刺激对新计算范式的研究。BRODER的影响:除了对半导体研究产生直接影响外,该计划旨在通过许多教育和推广活动将纳米技术的兴奋传达给学生和公众。来自代表性不足小组的学生将被招募直接从事该项目。研究结果将纳入新的本科课程中,并通过出版物,技术转移,网站和教科书传播给公众。在城市内,高中生的高中生将通过教学模块开发,课堂访问和在线展览来订婚。
项目成果
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专利数量(0)
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