CAREER: New Device Opportunities enabled by Polar Dielectric and Semiconductor Heteroepitaxy
事业:极性电介质和半导体异质外延带来的新器件机会
基本信息
- 批准号:0348271
- 负责人:
- 金额:$ 39.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Standard Grant
- 财政年份:2004
- 资助国家:美国
- 起止时间:2004-04-01 至 2009-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
The five-year career plan of W. Alan Doolittle, proposed herein, merges multidisciplinary education objectives with innovative research including the creation of an entirely new field of study; single crystal ferroelectrics integrated with wide bandgap semiconductors (WBGS) through epitaxy. The epitaxial toolsets developed under this initiative, thin film ferroelectrics grown on WBGS and thin film WBGS grown on ferroelectric substrates opens up a plethora of opportunities for unique devices and highly integrated systems of devices. Several novel device demonstrations will be undertaken including integrated optoelectronic modulators with III-Nitride transistors and photosensors, novel surface acoustic devices with greatly enhanced speed (3x), power transistors with 50-100 times higher power density than is currently state of the art, high speed, low voltage LiNbO3 optoelectronic modulators with intelligent phase and amplitude control, unique lateral polarization engineered devices such as deep UV frequency converters, lateral polarization heterostructures and lateral p-n junctions for photodetector applications. Support for statewide, historically rural and international education opportunities is also proposed in the form of an "Adopt-a-High-School" outreach program, statewide distance learning program participation to reach economically depressed regions of Georgia and an educational collaboration with a talented research center in Italy. Certain institute specific barriers to multidisciplinary education are also identified, with solutions proposed.The broader impact of this proposed effort includes outreach to minorities in the form of a summer internship participation, education and motivation of high school and junior high students thru the proposed "adopt-a-school" program, better multidisciplinary integration and improved communications among departments at Georgia Tech, universities in the state of Georgia and research centers/universities around the world. Given the novelty of several of the devices proposed herein, new companies are expected to form, providing an economic benefit as well.
本文提出的 W. Alan Doolittle 的五年职业计划将多学科教育目标与创新研究相结合,包括创建一个全新的研究领域;单晶铁电体通过外延与宽带隙半导体(WBGS)集成。根据该计划开发的外延工具集、在 WBGS 上生长的薄膜铁电体和在铁电衬底上生长的薄膜 WBGS 为独特器件和高度集成的器件系统提供了大量机会。将进行一些新颖的器件演示,包括具有 III 族氮化物晶体管和光电传感器的集成光电调制器、速度大大提高 (3 倍) 的新颖表面声学器件、功率密度比目前最先进技术高 50-100 倍的功率晶体管、高具有智能相位和振幅控制的高速、低压 LiNbO3 光电调制器,独特的横向偏振工程器件,例如深紫外频率转换器、横向偏振异质结构和用于光电探测器的横向 p-n 结应用程序。还建议以“收养高中”外展计划、参与乔治亚州经济萧条地区的全州远程学习计划以及与才华横溢的研究人员的教育合作的形式,支持全州范围内的、历史上的农村和国际教育机会中心在意大利。还确定了多学科教育的某些学院特定障碍,并提出了解决方案。这项拟议工作的更广泛影响包括以暑期实习参与的形式向少数群体进行宣传,通过拟议的“采用-a-school”计划,更好的多学科整合,以及改善佐治亚理工学院各部门、佐治亚州大学以及世界各地研究中心/大学之间的沟通。鉴于本文提出的几种设备的新颖性,预计将形成新公司,从而提供经济效益。
项目成果
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