Gain and Recombination in InGaAsN and Their Impact on the Laser Output Behavior

InGaAsN 中的增益和复合及其对激光输出行为的影响

基本信息

  • 批准号:
    0314410
  • 负责人:
  • 金额:
    --
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 财政年份:
    2003
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    2003-08-01 至 2007-07-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The scientific objective of the proposed research is to investigate the dominant recombination processes and the mechanisms that give rise to optical gain in InGaAsN/GaAs heterostructures lasers, and determine their impact on the laser output behavior. To accomplish this, the PI's will perform a comprehensive set of experiments on optimized ridge waveguide structures that include carrier lifetime, gain, gain recovery dynamics, and spontaneous emission measurement at different bias and temperature conditions. They will complement these investigations with optical spectroscopic studies of the heterostructure materials that will reveal the salient features of the electronic structure modifications upon nitrogen incorporation. The results from these experiments will allow us to build a model of the gain, determine the carrier-current density relations and thus develop a thorough understanding of the role of gain and recombination in affecting the threshold current and external efficiency of dilute nitride lasers. To complete these studies we also propose to assess the high speed potential of dilute nitride lasers through investigations of the intrinsic modulation bandwidth. This research brings together the CSU group whose strength is in the characterization of laser diodes and their heterostructures, and the Sandia's groups specialists in the growth of III-V nitrides and modeling of fundamental laser diode behavior respectively. The synergy of these groups with complementary expertise, will create an exciting intellectual exchange that will greatly benefit the education of the graduate and undergraduate students participating in the project. The proposed research will offer outstanding opportunities for the training of students at all levels. Graduate students will learn the arts of device fabrication, and characterization using high frequency electronics, optics and ultrafast techniques. They will also acquire in-depth understanding of the material's optical and electronic properties and develop skills to simulate basic laser diode behavior. Furthermore, the research will offer unique opportunities for the development of leadership skills through participation in conference presentations, manuscript preparation and mentoring activities. Exciting learning opportunities will also be available for undergraduate students who will take part in device fabrication efforts and in performing some of the simpler device and material characterization experiments. In undergraduate recruitment, Prof. Menoni will actively collaborate with the Louis Stokes Alliance for Minority Participation (COAMP) and the College of Engineering Women and Minorities Organization to attract talented students from traditionally underrepresented minority groups in the science and engineering. Basic research in laser diodes will also open up learning opportunities for K-12 students, who will be recruited from local high schools to participate in a month-long summer research experiences.
本研究的科学目标是研究 InGaAsN/GaAs 异质结构激光器中主要的复合过程和产生光学增益的机制,并确定它们对激光输出行为的影响。为了实现这一目标,PI 将在优化的脊形波导结构上进行一系列全面的实验,包括载流子寿命、增益、增益恢复动态以及不同偏置和温度条件下的自发发射测量。 他们将通过异质结构材料的光学光谱研究来补充这些研究,这将揭示氮掺入时电子结构修饰的显着特征。这些实验的结果将使我们能够建立增益模型,确定载流子电流密度关系,从而全面了解增益和复合在影响稀氮化物激光器的阈值电流和外部效率方面的作用。 为了完成这些研究,我们还建议通过研究本征调制带宽来评估稀氮化物激光器的高速潜力。 这项研究汇集了科罗拉多州立大学团队和桑迪亚团队的专家,前者擅长激光二极管及其异质结构的表征,后者擅长 III-V 氮化物生长和基本激光二极管行为建模。 这些具有互补专业知识的团体的协同作用将创造令人兴奋的知识交流,这将极大有利于参与该项目的研究生和本科生的教育。 拟议的研究将为各级学生的培训提供绝佳的机会。 研究生将学习器件制造的艺术,以及使用高频电子、光学和超快技术进行表征的技术。 他们还将深入了解材料的光学和电子特性,并开发模拟基本激光二极管行为的技能。 此外,该研究还将通过参与会议演讲、手稿准备和指导活动为领导技能的发展提供独特的机会。 本科生也将获得令人兴奋的学习机会,他们将参与器件制造工作并进行一些更简单的器件和材料表征实验。 在本科生招生方面,梅诺尼教授将积极与路易斯·斯托克斯少数族裔参与联盟(COAMP)以及工程学院女性和少数族裔组织合作,吸引来自科学和工程领域传统上代表性不足的少数群体的优秀学生。 激光二极管的基础研究也将为 K-12 学生提供学习机会,他们将从当地高中招募来参加为期一个月的暑期研究体验。

项目成果

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