GOALI: Creation of Crystalline Surfaces for Short Wavelength Light Emitters
目标:为短波长发光体创建晶体表面
基本信息
- 批准号:0100318
- 负责人:
- 金额:$ 30万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Continuing Grant
- 财政年份:2001
- 资助国家:美国
- 起止时间:2001-04-01 至 2006-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
This university-industry collaborative research project seeks to advance the capability for the manufacture of crystalline surfaces for use in short wavelength light emitters (blue/UV LEDs and lasers) by contributing to a basic understanding of the generation of defects resultant from the processing of ZnO substrates, and the subsequent homoepitaxial growth of films. ZnO substrates will be prepared by chemomechanical polishing and further pre-growth processing techniques, after which homoepitaxial films will be grown on the substrates. The defects generated at various stages of surface processing will be examined with high energy backscattering spectrometry, ion channeling and scanning electrical properties microscopy. This understanding will aid in identifying the processing conditions which show promise for producing ultra-high quality epitaxial films on ZnO. Development of this understanding has the potential to contributing to the successful demonstration of the homoepitaxial growth of ZnO. This work will further contribute to the development of advanced surface characterization tools which are needed for assessing near surface damage at the nanometer scale. An extensive collaborative effort involving Oklahoma State University, Eagle-Picher Technologies and Los Alamos National Laboratory will be undertaken.
该大学与工业界合作研究项目旨在通过促进对 ZnO 加工过程中缺陷产生的基本了解,提高用于短波长光发射器(蓝色/UV LED 和激光器)的晶体表面的制造能力衬底,以及随后的薄膜同质外延生长。 ZnO 衬底将通过化学机械抛光和进一步的预生长处理技术制备,然后在衬底上生长同质外延薄膜。 表面处理各个阶段产生的缺陷将通过高能背散射光谱法、离子通道和扫描电性能显微镜进行检查。 这种理解将有助于确定有望在 ZnO 上生产超高质量外延薄膜的加工条件。 这种认识的发展有可能有助于成功演示 ZnO 同质外延生长。 这项工作将进一步促进先进表面表征工具的开发,这些工具是评估纳米尺度近表面损伤所需的。 俄克拉荷马州立大学、Eagle-Picher Technologies 和洛斯阿拉莫斯国家实验室将开展广泛的合作。
项目成果
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专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
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