功率变换器高频磁性元件宽频段全功能模型研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    51777036
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    60.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    E0706.电力电子学
  • 结题年份:
    2021
  • 批准年份:
    2017
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2018-01-01 至2021-12-31

项目摘要

As the developments of wide-band semiconductors and power converters towards high frequencies and high power densities, the high frequency power magnetic components become more critical. Because of the complex structures, wide band frequency ranges with electric, magnetic and eddy current fields and non-linear behaviors with frequency, magnitude and DC flux bias in magnetics, it is very difficult to know the magnetics well in depth. By applying electromagnetic field analysis, PEEC calculation methods and test analysis, the comprehensive wide band and full function models of the magnetics are built considering the electric, magnetic and eddy current fields and non-linear properties with frequency, magnitude and DC flux bias. The models have clear physics meanings and the parameters are testable. The electromagnetic field distribution models in the close and proximate areas near the magnetic components are also built as well as the wide band coupling models among them. The precise loss models for the winding losses of differently twisted Litz wires are built. The models built in the project will deepen the understandings of the high frequency power magnetics rationality, reveal their mechanism in high frequency ranges and provide the theoretical model basis for the applications of analysis, tests, simulations, designs, optimizations and modifications.
随着宽禁带半导体器件以及功率变换器高频和高功率密度的快速发展,高频功率磁性元件技术的重要性日益突出。磁性元件由于结构复杂,涉及很宽频段的电场、磁场、涡流场以及频率、偏磁和幅值非线性材料特性,因此对其理论上的认识难以深入,成为功率变换技术进一步发展的瓶颈。本项目在应用电磁场分析、PEEC电磁计算方法以及测试分析的基础上,综合考虑电场、磁场以及涡流场的相互影响以及磁芯的偏磁、频率和幅值的非线性特性,建立磁元件的宽频段全功能模型,模型具有明确的物理意义且参数具有可测性;建立高频功率磁元件附近的接近区域和邻近区域宽频带泄露场分布的理论模型及典型分布规律,以及磁元件之间的宽频段电磁耦合模型;建立不同绞制方式多股绞线的高频损耗理论计算精确模型。模型的建立在理论上将深化对磁性元件的理性认识,清楚揭示其高频特性及机理,在应用上为磁元件的分析、测试、仿真、设计、优化和整改提供理论和模型基础。

结项摘要

由于宽禁带半导体器件发展,工作频率和功率密度不断提高,磁性元件的高频特性对功率变换器电磁兼容以及绕组和磁芯损耗的影响越发重要。项目围绕磁性元件在高频下其电、磁和损耗特性的模型建立、分析方法、参数影响、测量方法及其实际应用展开研究。项目研究了绕组的高频损耗建模,提高了计算园导线以及多股绞线高频损耗的精度;研究了PCB变压器绕组的优化布局以及PCB铜层的边缘损耗效应,可以更加快速的找到最优布局并准确评估绕组损耗;研究了磁芯高频损耗的测量方法,可以获得接近实际工况的磁芯损耗,方法便捷实用,并进一步建立了磁芯损耗高频模型;研究了磁性元件对传导电磁干扰的作用机理及其特性,在此基础上提出了从磁性元件角度抑制共模噪声的原理和方法,对反激式变换器的共模噪声问题,通过对反激变压器共模噪声路径以及电场容性特性的深入分析和建模,提出在变压器原、副边之间加入平衡绕组的方法以及分析设计思路,从而消除流过变压器通道的共模噪声,实现无Cy设计并减小滤波器体积,研究成果已经成功应用于国内外知名企业的高密度电源适配器产品;对PFC电路电感的共模噪声问题,深入分析了反相耦合绕组对共模噪声抵消效果的影响因素,进而提出了反相耦合绕组设计的关键问题;为了在电源整机完成前能够评估其变压器对共模噪声的抑制能力,减小EMI测试及反复整改所带来的时间和成本,提出了变压器路径和开关管对地电容路径的噪声评估方法,从而可以通过变压器精细化仿真设计控制流经变压器的共模噪声以实现精确抵消流经开关管对地电容的共模噪声,进而有机会实现完全消除流经LISN上的总共模噪声。.提出的磁元件高频特性以及高频磁芯损耗的测量方法已被团体标准、国家标准以及IEC国际标准采纳。发表SCI收录论文7篇,EI收录8篇,获授权发明6项;培养毕业博士3名以及多名硕士研究生。

项目成果

期刊论文数量(16)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(1)
专利数量(6)
反激变压器传导共模EMI特性分析
  • DOI:
    10.15938/j.emc.2021.03.011
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
    电机与控制学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    林苏斌;周云;陈为;张滨;陈长青
  • 通讯作者:
    陈长青
改进的磁元件圆导线绕组高频损耗模型
  • DOI:
    10.13334/j.0258-8013.pcsee.172164
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
    中国电机工程学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    柳百毅;陈为
  • 通讯作者:
    陈为
A General Transformer Evaluation Method for Common-Mode Noise Behavior
变压器共模噪声行为的通用评估方法
  • DOI:
    10.3390/en12101984
  • 发表时间:
    2019-05
  • 期刊:
    Energies
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Fu Kaining;Chen Wei;Lin Subing
  • 通讯作者:
    Lin Subing
Method for extracting motor impedance characteristics online
一种在线提取电机阻抗特性的方法
  • DOI:
    10.1007/s43236-021-00234-8
  • 发表时间:
    2021-03
  • 期刊:
    JOURNAL OF POWER ELECTRONICS
  • 影响因子:
    1.4
  • 作者:
    Wang Jianhao;Chen Wei
  • 通讯作者:
    Chen Wei
Evaluation Method of Flyback Converter Behaviors on Common-Mode Noise
反激式转换器共模噪声行为的评估方法
  • DOI:
    10.1109/access.2019.2902462
  • 发表时间:
    2019-03
  • 期刊:
    IEEE Access
  • 影响因子:
    3.9
  • 作者:
    Fu Kaining;Chen Wei
  • 通讯作者:
    Chen Wei

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其他文献

利用GPU实时绘制水墨画效果
  • DOI:
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  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
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  • 影响因子:
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  • 作者:
    张海嵩;陈为;于金辉
  • 通讯作者:
    于金辉
籼稻粤泰B成熟胚愈伤组织诱导培养条件初探
  • DOI:
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  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    湖北农业科学
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  • 作者:
    陈为;王春台;刘新琼;周杰;胡文;刘学群
  • 通讯作者:
    刘学群
采用永磁体预偏磁的高频功率电感设计方案
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
    中国电机工程学报
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  • 作者:
    杨海军;卢增艺;陈为
  • 通讯作者:
    陈为
一种新型磁集成倍流整流半桥变换器
  • DOI:
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  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    中国电机工程学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    陈为;朱勇发;卢增艺;白亚东
  • 通讯作者:
    白亚东
采用新型双绞铜箔的变压器线圈交流损耗建模与分析
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    《福州大学学报》
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    毛行奎;陈为
  • 通讯作者:
    陈为

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功率变换器磁元件磁芯损耗关键技术研究
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AI项目解读示例

课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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