高频集成磁件的分析与应用研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    59577024
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    6.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    E0701.电磁场与电路
  • 结题年份:
    1997
  • 批准年份:
    1995
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    1996-01-01 至1997-12-31

项目摘要

高频磁件是功率电子电路中的关键器件。目前已成为制约功率电子技术发展的一个重要因素。本项目研究在国内是开创性的。初步建立了现代高频功率电子磁件研究室,装备了重点仪器设备。研制了可变占空比高频大功率脉冲发生器,建立了计算机控制的磁件数据采集分析测试系统。首次提出了测量相位误差补偿的思想,解决 了磁件主要参数的测量误差问题,首次提出了等效激磁变化率的概念,并据此建立了不同占空比脉冲电压激励与正弦电压激励下的铁损的对应关系。提出了数值分析中处理磁件多导体电流约束条件的方法,实现了磁件的二维数值仿真。首次提出了电感设计中气隙“避让”区域的思想,为电感设计提供了指导依据。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量(11)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(1)
专利数量(0)
电力电子高频磁技术及其发展趋势
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    《电工电能新技术》
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    陈为;何建农
  • 通讯作者:
    何建农
Air Gap Fringing Loss Field Analysis for Power Electronics High-frequency Planar Inductors
电力电子高频平面电感器气隙边缘损耗场分析
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    IEEE Trans. on Magnetics
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    Wei Chen;L.M.Ye;F.C.Lee;Y.S.Sun
  • 通讯作者:
    Y.S.Sun
采用新型双绞铜箔的变压器线圈交流损耗建模与分析
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    《福州大学学报》
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    毛行奎;陈为
  • 通讯作者:
    陈为
高频电感器线圈损耗分析与交错气隙布置
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    《电工技术学报》
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    陈为;毛行奎;罗恒廉
  • 通讯作者:
    罗恒廉
不同占空比脉冲电压激励下的高频铁芯损耗
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    《电工电能新技术》
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    陈为;余素胜;罗恒廉;张冠生
  • 通讯作者:
    张冠生

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其他文献

高精度磁心损耗测量的比对量热法
  • DOI:
    10.12067/ateee1701084
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
    电工电能新技术
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    汪晶慧;陈开宝;陈为
  • 通讯作者:
    陈为
无/有直流偏磁的磁心损耗的测量与模型
  • DOI:
    10.19650/j.cnki.cjsi.j1905628
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
    仪器仪表学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    汪晶慧;阳双婷;陈为
  • 通讯作者:
    陈为
采用永磁体预偏磁的高频功率电感设计方案
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    中国电机工程学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    杨海军;卢增艺;陈为
  • 通讯作者:
    陈为
籼稻粤泰B成熟胚愈伤组织诱导培养条件初探
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    湖北农业科学
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    陈为;王春台;刘新琼;周杰;胡文;刘学群
  • 通讯作者:
    刘学群
一种新型磁集成倍流整流半桥变换器
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    中国电机工程学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    陈为;朱勇发;卢增艺;白亚东
  • 通讯作者:
    白亚东

其他文献

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功率变换器高频磁性元件宽频段全功能模型研究
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    面上项目
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  • 资助金额:
    29.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目

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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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