高温微电子器件和电路
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:69736020
- 项目类别:重点项目
- 资助金额:80.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F04.半导体科学与信息器件
- 结题年份:2001
- 批准年份:1997
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1998-01-01 至2001-12-31
- 项目参与者:李晋闽; 王恩哥; 冯耀兰; 李尧; 钱文生; 董建荣; 孔梅影; 于杰;
- 关键词:
项目摘要
提出宽温区高温MOS器件和电路和优化设计理论,建立体硅和常用导电类型SOIMOS器件和电路特性参数的高温模型,设计并研制出在(25-250℃)宽温区性能良好的高温MOS器件和电路及在(25-300℃)宽温区性能良好的SOL MOS器件和电路,实用化方面进行了有益的探索。采用自行研制的射频磁控溅射系统,制备出化学配比较理想的SiC薄膜,退火对SiC纳米化有决定性作用,得到纳米SiC的蓝紫光发射,用量子尺寸限制模型解释了间接带隙SiC向直接带隙转变的可能 性,发现Si截止面只可激活一阶声子,C截止面同时可激活一、二、三阶声子,激活声子的频率与表面结构和成分无关。采用自主研制的我国第一台兼有MBE和CVD特点的MBE系统进行SiC异质和同质外延生长,研究NH3和B2H6为掺杂剂的n型和p型SiC掺杂技术,实现导电类型可控的n型p型SiC材料,进行pn结二极管和肖特基二极管试制以及MSFET功率器件基础工艺研究,取得突破性进展。本项目的完成为我国高温微电子技术可持续发展奠定了基础。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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其他文献
EM NMOSFET 和 AM PMOSFET 组合的 TF SOI CMOS 反相器上升时间在 27-300℃的温度模型
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:中国科技论文在线(http://www.paper.edu.cn)
- 影响因子:--
- 作者:张海鹏;汪沁;魏同立;冯耀兰;张正璠;孙玲玲
- 通讯作者:孙玲玲
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