新结构高性能的硅低温双极型晶体管的研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:68976029
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:4.5万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0404.半导体电子器件与集成
- 结题年份:1991
- 批准年份:1989
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1990-01-01 至1991-12-31
- 项目参与者:冯耀兰; 张佐兰; 姚建南; 孟江生;
- 关键词:
项目摘要
用PCR技术从7个胡杨及1个青杨样品中扩增了叶绿体基因组trnL-trnF间隔区的DNA片断,分别克隆到pGEM-T载体中进行了序列测定。不周的样品的trnL-trnF间隔区序列存在较多的碱基置换和小段的缺失,共计71个,适于系统进化分析。依上述序列算出的遗传距离用N-J法所分析的胡杨系统进化关系表明:灰胡杨自成为一个独立的分支;巴基期坦、伊朗与肯尼亚胡杨组成一个分支;其它胡杨样品处于另一个分支。由于胡杨分化时间相当早,建议将这三个分支分别划为独立的种。灰胡杨与其它胡杨存在显著差别,可进一步划分为一个独立的组。本研究也证明了利用叶绿体基因间序列变异研究胡杨物种进化关系的可行性。
结项摘要

暂无数据
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

暂无数据
数据更新时间:2024-06-01
其他文献
EM NMOSFET 和 AM PMOSFET 组合的 TF SOI CMOS 反相器上升时间在 27-300℃的温度模型
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:中国科技论文在线(http://www.paper.edu.cn)
- 影响因子:--
- 作者:张海鹏;汪沁;魏同立;冯耀兰;张正璠;孙玲玲
- 通讯作者:孙玲玲
共 1 条
- 1
魏同立的其他基金
高温微电子器件和电路
- 批准号:69736020
- 批准年份:1997
- 资助金额:80.0 万元
- 项目类别:重点项目
半导体低温器件和电路
- 批准号:69236011
- 批准年份:1992
- 资助金额:40.0 万元
- 项目类别:重点项目
半导体低温器件和电路
- 批准号:69236010
- 批准年份:1992
- 资助金额:60.0 万元
- 项目类别:重点项目
有机绝缘薄膜的性能及其在半导体器件中应用的研究*3
- 批准号:68876101
- 批准年份:1988
- 资助金额:4.0 万元
- 项目类别:面上项目