高耐压低导通氮化镓功率器件电荷调控机理与新结构
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:62334003
- 项目类别:重点项目
- 资助金额:230万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F.信息科学部
- 结题年份:
- 批准年份:2023
- 项目状态:未结题
- 起止时间:2023至
- 项目参与者:陈万军;
- 关键词:
项目摘要
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:{{ item.doi || "--"}}
- 发表时间:{{ item.publish_year || "--" }}
- 期刊:{{ item.journal_name }}
- 影响因子:{{ item.factor || "--"}}
- 作者:{{ item.authors }}
- 通讯作者:{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
其他文献
Fluorine-Plasma Surface Treatment for Gate Forward Leakage Reduction in AlGaN/GaN HEMTs
用于减少 AlGaN/GaN HEMT 中栅极正向泄漏的氟等离子体表面处理
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Journal of Semiconductor
- 影响因子:--
- 作者:陈万军
- 通讯作者:陈万军
氮化镓(GaN)功率集成技术
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:中国科技论文在线
- 影响因子:--
- 作者:陈万军
- 通讯作者:陈万军
High-current-density high-voltage normally-off AlGaN/GaN hybrid-gate HEMT with low on-resistance
低导通电阻高电流密度高电压常断 AlGaN/GaN 混合栅 HEMT
- DOI:10.1049/el.2010.1950
- 发表时间:2010-11
- 期刊:iet electronics letters
- 影响因子:--
- 作者:陈万军
- 通讯作者:陈万军
基于GaN器件Buck电路死区功耗分析与优化
- DOI:--
- 发表时间:2016
- 期刊:电源学报
- 影响因子:--
- 作者:陈万军;施宜军;周琦;张波
- 通讯作者:张波
IGBT单粒子烧毁效应的二维仿真
- DOI:--
- 发表时间:2015
- 期刊:电子与封装
- 影响因子:--
- 作者:王珣阳;潘建华;陈万军
- 通讯作者:陈万军
其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:{{ item.doi || "--" }}
- 发表时间:{{ item.publish_year || "--"}}
- 期刊:{{ item.journal_name }}
- 影响因子:{{ item.factor || "--" }}
- 作者:{{ item.authors }}
- 通讯作者:{{ item.author }}

内容获取失败,请点击重试

查看分析示例
此项目为未结题,我已根据课题信息分析并撰写以下内容,帮您拓宽课题思路:
AI项目摘要
AI项目思路
AI技术路线图

请为本次AI项目解读的内容对您的实用性打分
非常不实用
非常实用
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
您认为此功能如何分析更能满足您的需求,请填写您的反馈:
陈万军的其他基金
发射极注入增强型IGBT快速关断机理与新结构
- 批准号:51877030
- 批准年份:2018
- 资助金额:63.0 万元
- 项目类别:面上项目
压控半导体高功率开关器件瞬态输运机理与关键技术研究
- 批准号:U1330114
- 批准年份:2013
- 资助金额:90.0 万元
- 项目类别:联合基金项目
GaN异质结器件场控能带(FCE)模型与新结构
- 批准号:61274090
- 批准年份:2012
- 资助金额:88.0 万元
- 项目类别:面上项目
高性能AlGaN/GaN复合阳极场控功率整流器新结构及模型
- 批准号:60906037
- 批准年份:2009
- 资助金额:24.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
相似国自然基金
{{ item.name }}
- 批准号:{{ item.ratify_no }}
- 批准年份:{{ item.approval_year }}
- 资助金额:{{ item.support_num }}
- 项目类别:{{ item.project_type }}
相似海外基金
{{
item.name }}
{{ item.translate_name }}
- 批准号:{{ item.ratify_no }}
- 财政年份:{{ item.approval_year }}
- 资助金额:{{ item.support_num }}
- 项目类别:{{ item.project_type }}