MSc Compound Semiconductor Electronics (PhD Progression 1+3)

化合物半导体电子学理学硕士(博士升读 1 3)

基本信息

  • 批准号:
    2882472
  • 负责人:
  • 金额:
    --
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    英国
  • 项目类别:
    Studentship
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    英国
  • 起止时间:
    2023 至 无数据
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

High Performance GaN HEMTs are the key components for many applications in communications, radar, sensing, and power applications. This includes high efficiency, high linearity low energy consumption power amplifiers; high gain low noise amplifiers; low loss high isolation switches. This proposed project will be investigation of new epitaxial structures to (i) optimise for multi-platform applications using TCAD techniques; (ii) layout design optimization for high performance at different operating frequencies and applications; (iii) development of fabrication modules to realise integrated devices; and (iv) characterization and modelling to correlate performance improvements to applied improvements. Variety of epitaxial stacks will be used in epitaxial wafers grown and supplied by IQE, this will channel, barrier, and buffer thickness, composition, and structure experiments aiming to enhance electronic properties such as current leakage, efficiency, linearity, switching speed, and gain. The ultimate target would be development of a single epitaxial platform to meet broad range of GaN electronic application operating up to kilovolt regimes and THz frequencies. Proposed items could be investigated in this project.
高性能 GaN HEMT 是通信、雷达、传感和电源应用中许多应用的关键组件。这包括高效率、高线性度低能耗功率放大器;高增益低噪声放大器;低损耗高隔离开关。该拟议项目将研究新的外延结构,以 (i) 使用 TCAD 技术优化多平台应用; (ii) 布局设计优化,以实现不同工作频率和应用下的高性能; (iii) 开发制造模块以实现集成器件; (iv) 表征和建模,将性能改进与应用改进相关联。 IQE 生长和提供的外延晶圆将使用各种外延堆叠,这将进行沟道、势垒和缓冲厚度、成分和结构实验,旨在增强电流泄漏、效率、线性度、开关速度和增益等电子特性。最终目标是开发单一外延平台,以满足运行高达千伏电压和太赫兹频率的广泛 GaN 电子应用。可以在该项目中研究提议的项目。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

其他文献

Products Review
  • DOI:
    10.1177/216507996201000701
  • 发表时间:
    1962-07
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.6
  • 作者:
  • 通讯作者:
Farmers' adoption of digital technology and agricultural entrepreneurial willingness: Evidence from China
  • DOI:
    10.1016/j.techsoc.2023.102253
  • 发表时间:
    2023-04
  • 期刊:
  • 影响因子:
    9.2
  • 作者:
  • 通讯作者:
Digitization
References
Putrescine Dihydrochloride
  • DOI:
    10.15227/orgsyn.036.0069
  • 发表时间:
    1956-01-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:

的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('', 18)}}的其他基金

An implantable biosensor microsystem for real-time measurement of circulating biomarkers
用于实时测量循环生物标志物的植入式生物传感器微系统
  • 批准号:
    2901954
  • 财政年份:
    2028
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
Exploiting the polysaccharide breakdown capacity of the human gut microbiome to develop environmentally sustainable dishwashing solutions
利用人类肠道微生物群的多糖分解能力来开发环境可持续的洗碗解决方案
  • 批准号:
    2896097
  • 财政年份:
    2027
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
A Robot that Swims Through Granular Materials
可以在颗粒材料中游动的机器人
  • 批准号:
    2780268
  • 财政年份:
    2027
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
Likelihood and impact of severe space weather events on the resilience of nuclear power and safeguards monitoring.
严重空间天气事件对核电和保障监督的恢复力的可能性和影响。
  • 批准号:
    2908918
  • 财政年份:
    2027
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
Proton, alpha and gamma irradiation assisted stress corrosion cracking: understanding the fuel-stainless steel interface
质子、α 和 γ 辐照辅助应力腐蚀开裂:了解燃料-不锈钢界面
  • 批准号:
    2908693
  • 财政年份:
    2027
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
Field Assisted Sintering of Nuclear Fuel Simulants
核燃料模拟物的现场辅助烧结
  • 批准号:
    2908917
  • 财政年份:
    2027
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
Assessment of new fatigue capable titanium alloys for aerospace applications
评估用于航空航天应用的新型抗疲劳钛合金
  • 批准号:
    2879438
  • 财政年份:
    2027
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
CDT year 1 so TBC in Oct 2024
CDT 第 1 年,预计 2024 年 10 月
  • 批准号:
    2879865
  • 财政年份:
    2027
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
Developing a 3D printed skin model using a Dextran - Collagen hydrogel to analyse the cellular and epigenetic effects of interleukin-17 inhibitors in
使用右旋糖酐-胶原蛋白水凝胶开发 3D 打印皮肤模型,以分析白细胞介素 17 抑制剂的细胞和表观遗传效应
  • 批准号:
    2890513
  • 财政年份:
    2027
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
Understanding the interplay between the gut microbiome, behavior and urbanisation in wild birds
了解野生鸟类肠道微生物组、行为和城市化之间的相互作用
  • 批准号:
    2876993
  • 财政年份:
    2027
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship

相似国自然基金

新型介孔过渡金属硫族化合物材料合成以及柔性半导体气体传感器应用研究
  • 批准号:
    22375040
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    50 万元
  • 项目类别:
    面上项目
宽禁带铜基化合物半导体薄膜材料的制备及其中波紫外响应机制研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    55 万元
  • 项目类别:
    面上项目
晶圆级二维过渡金属硫族化合物半导体的缺陷控制与器件应用
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    55 万元
  • 项目类别:
    面上项目
铜硫族化合物半导体纳米材料的精准结构调控与输运性质研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    54 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

MSc Compound Semiconductor Electronics (PhD Progression 1+3)
化合物半导体电子学理学硕士(博士升读 1 3)
  • 批准号:
    2888740
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
MSc Compound Semiconductor Electronics (PhD Progression 1+3)
化合物半导体电子学理学硕士(博士升读 1 3)
  • 批准号:
    2881672
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
MSc Compound Semiconductor Electronics (PhD Progression 1+3)
化合物半导体电子学理学硕士(博士升读 1 3)
  • 批准号:
    2881676
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
MSc Compound Semiconductor Electronics (PhD Progression 1+3)
化合物半导体电子学理学硕士(博士升读 1 3)
  • 批准号:
    2882409
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
MSc Compound Semiconductor Electronics (PhD Progression 1+3)
化合物半导体电子学理学硕士(博士升读 1 3)
  • 批准号:
    2882484
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了